高盛发布研报称,维持英诺赛科(02577)“买入”评级,基于2030年预测折现EV/EBITDA估值,30.1倍目标估值倍数根据可比公司的交易EV/EBITDA倍数,相对于英诺赛科未来一年EBITDA同比增速及EBITDA利润率得出,12个月目标价为114港元,以9月8日收盘价43.20港元计,对应163.9%的上行空间。
该行在中国AI巡回路演期间于9月7日在苏州与英诺赛科管理层交流,重点讨论数据中心GaN采用及产品扩展、GaN晶圆/器件/模块业务模式,以及潜在竞争等。该行对英诺赛科覆盖15V至1200V的全面GaN产品组合及多元终端应用保持积极看法。
管理层指出,公司已加快GaN产能扩张,目标在未来几年将GaN产能提升至每月7万片晶圆,以把握汽车和数据中心应用不断增长的GaN需求,以及中长期机器人领域的GaN需求。管理层表示,目前GaN在数据中心的采用仍处于早期阶段,公司仍在探索业务模式,包括与功率器件供应商合作,或直接与云服务提供商(CSP)客户建立合作关系。
管理层表示,GaN产品主要用于800 VDC机架电源架构的三个阶段,包括800V至54V、54V至12V,以及12V/6V至1V,其中最后一级的低压产品具有更高的价值量。针对最后一级,公司已开发用于AI GPU从6V至1V供电的15V DrGaN产品,并已完成客户送样,可实现更高的开关频率、更高的转换效率,同时减少BOM元件数量。
该行看好英诺赛科作为早期入场者,凭借已积累的技术经验,在英伟达新架构开始放量爬坡时把握增长机会。
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