12月30日消息,国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法”的专利。申请公布号为CN121240474A,申请号为CN202511407464.9,申请公布日期为2025年12月30日,申请日期为2025年9月29日,发明人龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅,专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师郭翔,分类号H10D12/00、H10D64/27、H10D62/10、H10D12/01。
专利摘要显示,一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法。涉及半导体技术领域。本发明栅极区上窄下宽的结构在保证垂直导电通道有效性的同时,减少电流导通路径上的电阻,结合高单元密度的沟槽结构优势,进一步降低器件的导通电压,提升导电效率。P+区与N+区的合理布局、栅极区电场分布的优化,协同改善器件的整体电场分布,避免局部电场过高导致的击穿电压下降问题,在降低导通电压的同时,保障器件具有较高的击穿电压,实现低导通损耗与高耐压性能的兼顾,满足大、中功率应用场景对器件性能的严苛需求。
扬杰科技成立于2006年8月2日,于2014年1月23日在深圳证券交易所上市,注册地址和办公地址均位于江苏省扬州市。该公司是国内功率半导体领先企业,专注功率半导体芯片及器件制造等业务,技术实力强。
扬杰科技主营业务为集研发、生产、销售于一体,专注于功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域,所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件,涉及比亚迪概念、融资融券、机器人概念等板块。
2025年三季度,扬杰科技营业收入达53.48亿元,在行业18家公司中排名第3,高于行业平均数33.04亿元和中位数9.73亿元,与第一名闻泰科技(维权)的297.69亿元、第二名士兰微的97.13亿元有一定差距。净利润方面,当期为9.65亿元,行业排名第2,仅次于闻泰科技的15.05亿元,远高于行业平均数2.23亿元和中位数6471.38万元。
扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511407480.8 | 2025-09-29 | CN120980899A | 2025-11-18 | 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅 |
| 2 | 一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511407472.3 | 2025-09-29 | CN121152230A | 2025-12-16 | 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅 |
| 3 | 一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511407464.9 | 2025-09-29 | CN121240474A | 2025-12-30 | 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅 |
| 4 | 一种高功率密度三极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511209188.5 | 2025-08-27 | CN120857527A | 2025-10-28 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 5 | 一种高集电极电流三极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511207926.2 | 2025-08-27 | CN120916450A | 2025-11-07 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 6 | 一种高EAS能力的三极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511208008.1 | 2025-08-27 | CN120916452A | 2025-11-07 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 7 | 一种高频和高增益三极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511207991.5 | 2025-08-27 | CN120916451A | 2025-11-07 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 8 | 一种高电流密度三极管及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511207877.2 | 2025-08-27 | CN121057236A | 2025-12-02 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 9 | 一种便捷式旁路保护器件的加工方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511154480.1 | 2025-08-18 | CN121017690A | 2025-11-28 | 李广源、梁欣源、陈润生、王毅 |
| 10 | 一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511145062.6 | 2025-08-15 | CN121011539A | 2025-11-25 | 徐超、司天平、陈润生、王毅 |
| 11 | 一种新型二极管金属线键合塑封一体机 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510879767.4 | 2025-06-27 | CN120690730A | 2025-09-23 | 耿印、王毅 |
| 12 | 一种半导体塑封模具异物检测机构及方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510842518.8 | 2025-06-23 | CN120645350A | 2025-09-16 | 刁卫斌、王毅 |
| 13 | 一种二极管外观检测装置及方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510826492.8 | 2025-06-19 | CN120539278A | 2025-08-26 | 耿印、王毅 |
| 14 | 一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510793665.0 | 2025-06-13 | CN120637356A | 2025-09-12 | 代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅 |
| 15 | 一种改进半导体器件饱和压降的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510613311.3 | 2025-05-13 | CN120417408A | 2025-08-01 | 龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅 |
| 16 | 单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510148616.1 | 2025-02-11 | CN119704417A | 2025-03-28 | 王鑫、王毅 |
| 17 | 一种FRED半导体器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510126905.1 | 2025-01-27 | CN119947137A | 2025-05-06 | 崔龙、王毅 |
| 18 | 一种横向IGBT及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996035.5 | 2024-12-31 | CN119730275A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 19 | 一种横向平面栅IGBT及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996030.2 | 2024-12-31 | CN119730274A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 20 | 一种横向RC-IGBT及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996027.0 | 2024-12-31 | CN119730273A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 21 | 一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996043.X | 2024-12-31 | CN119730277A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 22 | 一种自带续流能力的IGBT及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996042.5 | 2024-12-31 | CN119730276A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 23 | 自动防卡料管装上料装置 | 实用新型 | 授权 | CN202423295438.5 | 2024-12-31 | CN223547013U | 2025-11-14 | 李伟贞、殷宪虎、王毅 |
| 24 | 整流桥周转管打塞装置 | 实用新型 | 授权 | CN202423295423.9 | 2024-12-31 | CN223574783U | 2025-11-21 | 张杰、徐俊、殷宪虎、王毅 |
| 25 | 整流桥平整度检测装置 | 实用新型 | 授权 | CN202423266959.8 | 2024-12-30 | CN223551060U | 2025-11-14 | 雍鑫、徐俊、王毅 |
| 26 | 框架镜像检测平台 | 实用新型 | 授权 | CN202423266953.0 | 2024-12-30 | CN223711466U | 2025-12-23 | 沈青青、徐俊、王毅 |
| 27 | 一种增强栅氧可靠性的SiCMOSFET器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411950010.1 | 2024-12-27 | CN119743969A | 2025-04-01 | 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅 |
| 28 | 一种减小漏电的SiCSBD二极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411955197.4 | 2024-12-27 | CN119789443A | 2025-04-08 | 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅 |
| 29 | 具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管 | 实用新型 | 授权 | CN202423253084.8 | 2024-12-27 | CN223652616U | 2025-12-09 | 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅 |
| 30 | 具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202423247744.1 | 2024-12-27 | CN223652617U | 2025-12-09 | 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅 |
| 31 | 整流桥防反治具 | 实用新型 | 授权 | CN202423192234.9 | 2024-12-24 | CN223665429U | 2025-12-12 | 金超、徐俊、王毅 |
| 32 | 一种集成SBD的SiCMOSFET器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411854926.7 | 2024-12-17 | CN119584574A | 2025-03-07 | 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅 |
| 33 | 一种晶圆加工用吸附装置 | 实用新型 | 授权 | CN202423106298.2 | 2024-12-17 | CN223566605U | 2025-11-18 | 唐红梅、张晓勇、王毅 |
| 34 | 具有高续流能力的SIC MOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202423106302.5 | 2024-12-17 | CN223584622U | 2025-11-21 | 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅 |
| 35 | 一种晶圆加工定位切割装置 | 实用新型 | 授权 | CN202423106293.X | 2024-12-17 | CN223589763U | 2025-11-25 | 唐红梅、张晓勇、王毅 |
| 36 | 一种肖特基二极管Ni势垒层正面金属去除方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411846769.5 | 2024-12-16 | CN119581321A | 2025-03-07 | 苏朕、尹鑫德、王毅 |
| 37 | 一种回流焊自动下料生产线 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411839636.5 | 2024-12-13 | CN119542220B | 2025-10-10 | 田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅 |
| 38 | 码垛型铜框架料篮 | 实用新型 | 授权 | CN202423084013.X | 2024-12-13 | CN223421179U | 2025-10-10 | 田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅 |
| 39 | 一种回流焊自动下料生产线 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411839636.5 | 2024-12-13 | CN119542220B | 2025-10-10 | 田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅 |
| 40 | 料篮自动码垛装置 | 实用新型 | 授权 | CN202423084021.4 | 2024-12-13 | CN223421890U | 2025-10-10 | 田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅 |
| 41 | 一种晶圆加工用涂胶装置 | 实用新型 | 授权 | CN202423084010.6 | 2024-12-13 | CN223436191U | 2025-10-14 | 唐红梅、张晓勇、王毅 |
| 42 | 铜框架夹装机械手 | 实用新型 | 授权 | CN202423084026.7 | 2024-12-13 | CN223477676U | 2025-10-28 | 田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅 |
| 43 | 改善D-Poly膜厚均匀性的散流板 | 实用新型 | 授权 | CN202423084006.X | 2024-12-13 | CN223612375U | 2025-11-28 | 刘菲、邹威、王毅 |
| 44 | 回流焊下料装置 | 实用新型 | 授权 | CN202423084032.2 | 2024-12-13 | CN223642924U | 2025-12-09 | 田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅 |
| 45 | 一种超低VF平面肖特基二极管的加工方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411754310.2 | 2024-12-02 | CN119300369A | 2025-01-10 | 孙培、王毅 |
| 46 | 一种降低短路电流的SiC器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202411544390.9 | 2024-10-31 | CN119421440A | 2025-02-11 | 王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅 |
| 47 | 一种具备沟槽栅氧保护结的SiC器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202411544383.9 | 2024-10-31 | CN119421439A | 2025-02-11 | 王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅 |
| 48 | 一种提高短路鲁棒性的SiCMOSFET及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202411544376.9 | 2024-10-31 | CN119421438A | 2025-02-11 | 王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅 |
| 49 | 一种终端欧姆接触间隔排布的SiC器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202411544375.4 | 2024-10-31 | CN119421437A | 2025-02-11 | 王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅 |
| 50 | 一种集成JBS的SiC场效应晶体管器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202411544372.0 | 2024-10-31 | CN119421436A | 2025-02-11 | 王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅 |
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