嘉善复旦研究院单片全集成GaAs HBT低噪声放大器集成电路布图设计获国家知识产权局公告_财经一览

嘉善复旦研究院单片全集成GaAs HBT低噪声放大器集成电路布图设计获国家知识产权局公告

创始人

2026-09-05 10:37:36

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近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，嘉善复旦研究院提交的“单片全集成 GaAs HBT低噪声放大器”布图设计正式获得国家知识产权局的布图设计专有权公告，相关权属信息已在官方公告渠道完成公示。此次布图设计的获批，标志着嘉善复旦研究院在砷化镓射频前端芯片领域的自主研发成果获得官方知识产权确权，将为其相关技术的产业化落地和市场推广提供坚实的知识产权支撑。

项目	详情
发布时间	2026年9月4日
布图设计登记号	BS.265576342
布图设计申请日	2026年5月7日
公告日期	2026年9月4日
公告号	99132
布图设计名称	单片全集成 GaAs HBT低噪声放大器
布图设计权利人	嘉善复旦研究院
布图设计创作人	李嘉进、韩科锋、闫娜、许灏、尹睿
布图设计创作完成日	2026年4月3日

从本次公示的详细信息来看，该款单片全集成GaAs HBT低噪声放大器布图设计的创作完成日为2026年4月3日，由李嘉进、韩科锋、闫娜、许灏、尹睿五名核心研发人员共同完成，嘉善复旦研究院作为唯一布图设计权利人，于2026年5月7日正式向国家知识产权局提交布图设计登记申请。经过相关部门的合规审核后，该布图设计于2026年9月4日正式完成公告，对应公告号为99132，布图设计登记号为BS.265576342，本次公告的同步发布时间也与公告日期保持一致，完整记录了该款射频芯片布图设计从研发落地到知识产权确权的全流程关键节点。

综合点评
此次嘉善复旦研究院的砷化镓射频前端芯片布图设计获国家知识产权局确权，是其在该领域自主研发能力得到官方认可的重要标志。既为后续技术产业化落地筑牢知识产权护城河，也为相关产品市场推广扫清权属障碍，夯实其在射频芯片赛道的核心竞争优势。

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