斯达半导体股份有限公司（以下简称“斯达半导”）近日发布公告，就上海证券交易所关于其向不特定对象发行可转换公司债券申请文件的审核问询函进行了回复。公司拟募集资金不超过15亿元，用于“车规级SiC MOSFET模块制造项目”、“IPM模块制造项目”、“车规级GaN模块产业化项目”和补充流动资金。针对问询函中关注的募投项目环评进展、用地安排、产能消化、投资测算及效益预测等核心问题，斯达半导逐一进行了说明。

募投项目环评均已获批 用地进入招拍挂阶段

回复报告显示，斯达半导本次三个募投生产项目均已取得环评批复文件。其中，“车规级SiC MOSFET模块制造项目”于2025年12月24日获得嘉兴市生态环境局批复；“IPM模块制造项目”于2025年12月15日获得重庆高新区生态环境局批复；“车规级GaN模块产业化项目”则于2025年12月24日获得上海市嘉定区生态环境局批复。

在项目用地上，“IPM模块制造项目”选址于重庆市高新区西永组团T62-1/05（部分）地块，净用地面积35亩，用地性质为一类工业用地，目前《斯达半导体IPM模块制造项目合同》已在签章流程中，后续将履行招拍挂程序。“车规级GaN模块产业化项目”位于上海市嘉定区外冈镇新能港14-03地块，用地面积约17.50亩，用地性质为工业用地，已获得农转用批复和土地供地文，正在办理地块出让征询中。公司表示，上述项目用地符合相关法律法规及政策，后续将在履行必要程序后正式取得土地使用权。

募投项目为现有业务延伸 产能消化有支撑

斯达半导强调，本次募投项目系公司现有业务的规模扩张与延伸拓展，与公司以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产的主营业务紧密相关。车规级SiC MOSFET模块和GaN模块项目是对第三代功率半导体模块产品的布局，IPM模块项目则是拓展白色家电市场份额。

报告期内，相关产品产销量及收入均呈逐年增长态势。其中，SiC MOSFET模块自2022年实现国内首个800V高压平台批量装车以来，销量快速增长，2025年1-6月销量已超过去年全年，产销率达103.01%，累计获得超过30个新能源汽车主电机控制器项目定点。IPM模块已与美的、格力、海信、海尔等主流白色家电客户建立合作，当前产销已趋近饱和。GaN模块虽暂未批量销售，但已获得主电机控制器平台定点，预计2026年进入装车应用阶段。

公司表示，本次募投项目不存在重大技术难点，上游原材料供应稳定。SiC MOSFET芯片采用自产与外购相结合模式，IPM模块核心芯片为自主产品，GaN模块核心芯片目前外购，后续将逐步推出自主芯片。其他通用原材料通过与国内外优质供应商建立长期合作，构建了多渠道、可替代的供应网络。

在产能消化方面，公司认为，各产品市场需求旺盛。SiC MOSFET模块受益于新能源汽车渗透率提升，IPM模块面对国内白色家电4.4亿颗的年需求规模，GaN模块在新能源汽车及AI服务器电源等领域增长潜力巨大。公司现有产能利用率饱和，SiC MOSFET模块和IPM模块2025年1-6月产能利用率分别为96.46%和95.52%。截至2025年10月31日，公司IGBT模块、SiC MOSFET模块、IPM模块在手订单及意向订单金额分别为14.15亿元、2.04亿元和0.44亿元，需求稳定。

投资测算合理 效益预测审慎

关于募投项目的具体投资构成，公告详细披露了建筑工程费、设备购置及安装费等的测算依据及过程。以投资金额最大的“车规级SiC MOSFET模块制造项目”为例，总投资10.02亿元，拟使用募集资金6亿元，其中建筑工程投资1.45亿元，设备购置及安装费8.18亿元。设备选型基于适用性、先进性及性价比原则，单价参考供应商报价及公司历史采购单价，数量依据未来生产运营需求预估。

经测算，本次募投项目中非资本性支出（补充流动资金）为4.3亿元，占募集资金总额的28.67%，未超过30%的规定比例。截至本次发行相关董事会决议日，本次募集资金不包含董事会前已投入资金，不存在置换情形。

效益预测方面，三个项目达产后预计内部收益率分别为18.45%、16.00%和18.73%。公司对产品价格、成本费用等关键指标的预测过程及依据进行了说明，并与同行业上市公司新洁能的类似项目进行对比，认为相关预测与可比项目及公司当前同类产品的盈利状况相接近，具有审慎性和合理性。

保荐机构中信证券核查后认为，斯达半导本次募投项目实施不存在重大不确定性，产能消化风险较小，建筑工程费、设备购置及安装费等测算合理，非资本性支出占比符合规定，效益预测审慎合理。

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