12月30日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种原子层沉积设备及沉积方法”的专利。申请公布号为CN121228203A，申请号为CN202410843600.8，申请公布日期为2025年12月30日，申请日期为2024年6月26日，发明人韩子迦、姜勇，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾慧琴、包姝晴，分类号C23C16/455、C23C16/52。

专利摘要显示，本发明公开了一种原子层沉积设备及沉积方法，其中，原子层沉积设备包括：反应腔；主进气管路，所述主进气管路的第一端连通反应气源，第二端连通反应腔；控压管路，其第一端连通主进气管路，第二端连通气泵；惰性气体管路，其第一端连通惰性气体气源，第二端连通反应腔；排气管路，其第一端连通反应腔，第二端连通气泵。本发明原子层沉积设备向主进气管路通入反应气体时，通过控制控压管路内压力大于反应腔内压力，使主进气管路内的反应气体在短时间内压力迅速升高，并被压入反应腔中，吸附于基片上。

天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期1970年1月13日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本62614.5307万人民币，实缴资本62236.3735万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目72次，财产线索方面有商标信息100条，专利信息1623条，拥有行政许可77个。

中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

风险提示：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI大模型基于第三方财汇数据库自动发布，任何在本文出现的信息（包括但不限于个股、评论、预测、图表、指标、理论、任何形式的表述等）均只作为参考，不构成个人投资建议。受限于第三方数据库质量等问题，我们无法对数据的真实性及完整性进行分辨或核验，因此本文内容可能出现不准确、不完整、误导性的内容或信息，具体以公司公告为准。如有疑问，请联系biz@staff.sina.com.cn。