我国第一颗直拉硅单晶的主要研制者之一丁守谦逝世
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（来源：澎湃新闻）
澎湃新闻记者从相关方面获悉，我国第一颗直拉硅单晶的主要研制者之一、南开大学电子信息与光学工程学院丁守谦教授，于2026年9月5日在天津逝世，享年97岁。
丁守谦，1930年出生于湖南攸县，九三学社社员，南开大学电子科学系教授，美国SID学会理事、中国电子学会会士。丁守谦1953年北京大学物理系本科毕业，1956年北京大学物理系研究生毕业，后被分配到南开大学物理系任助教。1958年调任天津703厂（现中电科46所）技术员。
丁守谦1973年调回南开大学电子科学系任讲师，1985年作为访问学者，在西德图屏根大学应用物理研究所与著名电子光学专家弗·棱茨（F·Lenz）教授进行合作研究。1986年晋升为教授。1989年获国家发明二等奖。
1958年，丁守谦领导了提拉硅单晶及测试，并于1959年9月15日拉制出我国第一颗硅单晶，敲开了我国通往信息时代的大门。该成果既满足了当时国家对信息硅材料的重大战略需求，迅速缩短了我国与欧美的技术差距；也为我国半导体事业乃至当今信息时代的集成电路和未来低碳时代的太阳能光伏发电技术奠定了坚实的材料基础。
丁守谦深耕半导体与显示技术领域，创建“非近轴光学”理论，拓展高斯近轴光学，攻克多项科研难题，发表论文80余篇，出版多本专著，担任多个学术杂志编委和专业学会、联盟顾问或专家委员。1989年起，丁守谦受国家有关方面委托，面向国内产业界举办多届企业领导培训班，被尊称为中国偏转线圈的“开山鼻祖”。上世纪九十年代，丁守谦排除诸多困难，推动创办国际信息显示学会（SID）北京分会并担任第一、二届理事长，为中国信息显示行业站上世界舞台作出重要贡献。
二十一世纪初，丁守谦为保住中国3G制式，实现3G追赶、4G齐头并进、5G遥遥领先起到了至关重要的作用，被尊称为“TD三剑客”之一。