芯联集成电路制造申请半导体器件相关专利,该半导体制备法降本且提升器件性能
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2026-09-09 09:29:04
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9月9日消息,国家知识产权局信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利。申请公布号为CN122704843A,申请号为CN202610927683.8,申请公布日期为2026年9月8日,申请日期为2026年6月25日,发明人任杨波,专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师曹廷廷,分类号B81C1/00、B81C3/00。

专利摘要显示,本发明提供了一种半导体器件的制备方法,包括:提供第一衬底,在第一衬底上形成氧化层和种子层,对种子层和氧化层进行图形化;外延形成单晶硅层位于第一衬底上,以及外延形成多晶硅层位于图形化的种子层上;在单晶硅层和多晶硅层上形成引线层及层间介质层,在引线层和层间介质层上形成键合层;提供第二衬底,将第二衬底与键合层键合;去除第一衬底和图形化的氧化层以暴露单晶硅层,刻蚀单晶硅层形成关键梁;以及,刻蚀关键梁下方的层间介质层以形成空腔。本发明能够节约物料成本,并提升器件性能。

芯联集成成立于2018年3月9日,2023年5月10日登陆上海证券交易所,注册及办公地均位于浙江省,是国内领先的特色工艺晶圆代工服务商,聚焦MEMS与功率器件赛道,具备全流程代工技术优势。

芯联集成主营业务覆盖MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务,可为客户提供一站式系统代工解决方案,所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造,同时布局第三代半导体、模拟芯片、光伏玻璃相关概念赛道。

2026年上半年,芯联集成实现营业收入45.62亿元,在7家同行业可比企业中排名第5,当期行业营收第一名中芯国际达386.35亿元,第二名华虹宏力为95.74亿元,行业平均营收93.45亿元,行业中位数为59.57亿元;同期公司实现净利润4136.02万元,同样在7家可比企业中位列第5,行业净利润第一名中芯国际为64.39亿元,第二名赛微电子达26.75亿元,行业平均净利润14.11亿元,行业中位数为2.22亿元。

指标类型 当期数值 行业排名/总样本数 行业头部标杆数值 行业平均水平 行业中位数
营业收入 45.62亿元 5/7 中芯国际386.35亿元、华虹宏力95.74亿元 93.45亿元 59.57亿元
净利润 4136.02万元 5/7 中芯国际64.39亿元、赛微电子26.75亿元 14.11亿元 2.22亿元

芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1半导体器件的制备方法发明专利公布CN202610927683.82026-06-25CN122704843A2026-09-08任杨波
2芯片缺陷定位方法发明专利公布CN202610869507.32026-06-16CN122631647A2026-08-25崔壮
3垂直腔面发射激光器的制备方法发明专利公布CN202610861716.32026-06-15CN122716685A2026-09-08靳闪闪、何琼
4缺陷定位方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610846155.X2026-06-12CN122612651A2026-08-21李晓童、罗昌平、李剑
5MEMS器件的背腔偏移测试结构及测试方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610844554.22026-06-11CN122561818A2026-08-14傅思宇
6键合结构对准标记形成方法及键合结构发明专利公布CN202610844002.12026-06-11CN122685007A2026-09-04王红海、吕林静
7一种MEMS器件及电子装置发明专利公布CN202610843036.92026-06-11CN122718612A2026-09-08唐丽文
8光刻掩膜和图形化方法发明专利公布CN202610649381.92026-05-12CN122488424A2026-07-31李悦、眭小超
9一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610613072.62026-05-07CN122161437A2026-06-05于贝贝、张俊龙、王琛
10半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件发明专利授权CN202610603325.12026-05-06CN122138453B2026-07-21黄艳、赵晓燕
11红外传感器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610588080.X2026-04-29CN122505417A2026-08-04周健
12晶圆版图结构及晶圆结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610504645.12026-04-16CN122341221A2026-07-03李悦、眭小超
13半导体器件背面金属化的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610488963.32026-04-14CN122396221A2026-07-14黄旭波、眭小超
14一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610488964.82026-04-14CN122396034A2026-07-14金善武、李婧、程显、张文博、姚泽辉
15振膜及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610430343.42026-04-02CN122349078A2026-07-07李佳利、徐泽洋、王鹏、鲁列微
16半导体器件的制备方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610420503.72026-04-01CN122340816A2026-07-03王强、孙金山、顾学强、宋苗苗
17半导体器件的制备方法、半导体器件及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610404592.62026-03-30CN122318834A2026-06-30徐鹏、张偲、王天然、张俊龙
18半导体器件的制备方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610400260.02026-03-30CN122340887A2026-07-03田淑芳、赵晓燕、黄艳
19深沟槽电容器的制备方法及深沟槽电容器发明专利实质审查的生效、公布CN202610370329.X2026-03-25CN122180083A2026-06-09林笛、赵晓燕、张子文
20电容麦克风、半导体结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610365274.32026-03-24CN122054060A2026-05-15傅思宇、姚阳文
21封装打线应力监测结构、芯片封装结构及封装打线应力的监测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610350219.72026-03-20CN122318819A2026-06-30张坦、李婧、吴桥伟
22半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610340887.12026-03-19CN122227653A2026-06-16赵冰、赵晓燕、黄艳
23LDMOS器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610340345.42026-03-19CN122227629A2026-06-16李宏伟
24套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610325340.42026-03-17CN121978872A2026-05-05李忠仁、赵晓燕、何福秀
25霍尔器件及其制造方法发明专利授权CN202610321598.72026-03-17CN121888864B2026-07-10黄艳、赵晓燕
26半导体器件及其制作方法、芯片、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610319423.22026-03-16CN122318295A2026-06-30黄艳、赵晓燕
27MEMS结构及其制备方法和测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610263262.X2026-03-05CN122102048A2026-05-29王红海
28半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610264470.12026-03-05CN122301116A2026-06-30王曦
29一种霍尔元件发明专利实质审查的生效、公布CN202610252635.32026-03-03CN122121538A2026-05-29李宏伟
30DUP器件的焊盘结构及其打线方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610252633.42026-03-03CN122121712A2026-05-29李宏伟
31MEMS微镜及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610242335.72026-02-28CN122218940A2026-06-16毕丽丽、罗传鹏
32半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610235585.82026-02-27CN122121255A2026-05-29黄艳、赵晓燕、石磊
33垂直腔面发射激光器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610206631.12026-02-12CN122068361A2026-05-19靳闪闪、何琼
34一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610201260.82026-02-11CN122054671A2026-05-15黄艳、赵晓燕
35滤波器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610191106.72026-02-10CN122119555A2026-05-29穆苑龙、王鹏、姚阳文、徐泽洋
36MEMS器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610173899.X2026-02-06CN121974292A2026-05-05胡永宝、姚阳文、徐泽洋
37MEMS器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610161355.12026-02-04CN122054059A2026-05-15王鹏
38高压电容隔离器及其制造方法发明专利授权CN202610156455.52026-02-04CN121645907B2026-05-26徐涛、王旭、刘晓雪
39半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610144599.92026-02-02CN122054611A2026-05-15张子文、赵晓燕、林笛
40深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075516.52026-01-20CN121888936A2026-04-17张涛、王旭
41用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075821.42026-01-20CN122028704A2026-05-12李忠仁、赵晓燕、何启庆
42负性光刻胶去边方法发明专利公布CN202512047655.52025-12-31CN121657384A2026-03-13张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩
43封装件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512031182.X2025-12-30CN121772812A2026-03-31徐达武、龚俊能
44一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511994715.82025-12-26CN121728807A2026-03-24叶强飞、黎哲、何云、罗顶
45电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511994584.32025-12-26CN121772735A2026-03-31黄艳、赵晓燕、钟鹏
46一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511980858.32025-12-25CN121712052A2026-03-20叶强飞、黎哲、何云、罗顶
47输出芯片及光控继电器发明专利实质审查的生效、公布CN202511953919.72025-12-23CN121814072A2026-04-07李宝杰、任文珍、丛茂杰
48一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511882683.22025-12-15CN121310023B2026-04-14傅思宇、陆晓龙、徐泽洋、姚阳文
49一种半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511868002.72025-12-11CN121645906A2026-03-10秦永山、王旭
50晶圆异常原因分析方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202511867408.32025-12-11CN121682332A2026-03-17王颖、康栋、李鹏、孙海丽

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