9月9日消息,国家知识产权局信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利。申请公布号为CN122704843A,申请号为CN202610927683.8,申请公布日期为2026年9月8日,申请日期为2026年6月25日,发明人任杨波,专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师曹廷廷,分类号B81C1/00、B81C3/00。
专利摘要显示,本发明提供了一种半导体器件的制备方法,包括:提供第一衬底,在第一衬底上形成氧化层和种子层,对种子层和氧化层进行图形化;外延形成单晶硅层位于第一衬底上,以及外延形成多晶硅层位于图形化的种子层上;在单晶硅层和多晶硅层上形成引线层及层间介质层,在引线层和层间介质层上形成键合层;提供第二衬底,将第二衬底与键合层键合;去除第一衬底和图形化的氧化层以暴露单晶硅层,刻蚀单晶硅层形成关键梁;以及,刻蚀关键梁下方的层间介质层以形成空腔。本发明能够节约物料成本,并提升器件性能。
芯联集成成立于2018年3月9日,2023年5月10日登陆上海证券交易所,注册及办公地均位于浙江省,是国内领先的特色工艺晶圆代工服务商,聚焦MEMS与功率器件赛道,具备全流程代工技术优势。
芯联集成主营业务覆盖MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务,可为客户提供一站式系统代工解决方案,所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造,同时布局第三代半导体、模拟芯片、光伏玻璃相关概念赛道。
2026年上半年,芯联集成实现营业收入45.62亿元,在7家同行业可比企业中排名第5,当期行业营收第一名中芯国际达386.35亿元,第二名华虹宏力为95.74亿元,行业平均营收93.45亿元,行业中位数为59.57亿元;同期公司实现净利润4136.02万元,同样在7家可比企业中位列第5,行业净利润第一名中芯国际为64.39亿元,第二名赛微电子达26.75亿元,行业平均净利润14.11亿元,行业中位数为2.22亿元。
| 指标类型 | 当期数值 | 行业排名/总样本数 | 行业头部标杆数值 | 行业平均水平 | 行业中位数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 营业收入 | 45.62亿元 | 5/7 | 中芯国际386.35亿元、华虹宏力95.74亿元 | 93.45亿元 | 59.57亿元 |
| 净利润 | 4136.02万元 | 5/7 | 中芯国际64.39亿元、赛微电子26.75亿元 | 14.11亿元 | 2.22亿元 |
芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 半导体器件的制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610927683.8 | 2026-06-25 | CN122704843A | 2026-09-08 | 任杨波 |
| 2 | 芯片缺陷定位方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610869507.3 | 2026-06-16 | CN122631647A | 2026-08-25 | 崔壮 |
| 3 | 垂直腔面发射激光器的制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610861716.3 | 2026-06-15 | CN122716685A | 2026-09-08 | 靳闪闪、何琼 |
| 4 | 缺陷定位方法、系统及计算机可读存储介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610846155.X | 2026-06-12 | CN122612651A | 2026-08-21 | 李晓童、罗昌平、李剑 |
| 5 | MEMS器件的背腔偏移测试结构及测试方法、半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610844554.2 | 2026-06-11 | CN122561818A | 2026-08-14 | 傅思宇 |
| 6 | 键合结构对准标记形成方法及键合结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610844002.1 | 2026-06-11 | CN122685007A | 2026-09-04 | 王红海、吕林静 |
| 7 | 一种MEMS器件及电子装置 | 发明专利 | 公布 | CN202610843036.9 | 2026-06-11 | CN122718612A | 2026-09-08 | 唐丽文 |
| 8 | 光刻掩膜和图形化方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610649381.9 | 2026-05-12 | CN122488424A | 2026-07-31 | 李悦、眭小超 |
| 9 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610613072.6 | 2026-05-07 | CN122161437A | 2026-06-05 | 于贝贝、张俊龙、王琛 |
| 10 | 半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件 | 发明专利 | 授权 | CN202610603325.1 | 2026-05-06 | CN122138453B | 2026-07-21 | 黄艳、赵晓燕 |
| 11 | 红外传感器及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610588080.X | 2026-04-29 | CN122505417A | 2026-08-04 | 周健 |
| 12 | 晶圆版图结构及晶圆结构的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610504645.1 | 2026-04-16 | CN122341221A | 2026-07-03 | 李悦、眭小超 |
| 13 | 半导体器件背面金属化的方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610488963.3 | 2026-04-14 | CN122396221A | 2026-07-14 | 黄旭波、眭小超 |
| 14 | 一种半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610488964.8 | 2026-04-14 | CN122396034A | 2026-07-14 | 金善武、李婧、程显、张文博、姚泽辉 |
| 15 | 振膜及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610430343.4 | 2026-04-02 | CN122349078A | 2026-07-07 | 李佳利、徐泽洋、王鹏、鲁列微 |
| 16 | 半导体器件的制备方法及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610420503.7 | 2026-04-01 | CN122340816A | 2026-07-03 | 王强、孙金山、顾学强、宋苗苗 |
| 17 | 半导体器件的制备方法、半导体器件及芯片 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610404592.6 | 2026-03-30 | CN122318834A | 2026-06-30 | 徐鹏、张偲、王天然、张俊龙 |
| 18 | 半导体器件的制备方法及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610400260.0 | 2026-03-30 | CN122340887A | 2026-07-03 | 田淑芳、赵晓燕、黄艳 |
| 19 | 深沟槽电容器的制备方法及深沟槽电容器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610370329.X | 2026-03-25 | CN122180083A | 2026-06-09 | 林笛、赵晓燕、张子文 |
| 20 | 电容麦克风、半导体结构及其测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610365274.3 | 2026-03-24 | CN122054060A | 2026-05-15 | 傅思宇、姚阳文 |
| 21 | 封装打线应力监测结构、芯片封装结构及封装打线应力的监测方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610350219.7 | 2026-03-20 | CN122318819A | 2026-06-30 | 张坦、李婧、吴桥伟 |
| 22 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610340887.1 | 2026-03-19 | CN122227653A | 2026-06-16 | 赵冰、赵晓燕、黄艳 |
| 23 | LDMOS器件及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610340345.4 | 2026-03-19 | CN122227629A | 2026-06-16 | 李宏伟 |
| 24 | 套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610325340.4 | 2026-03-17 | CN121978872A | 2026-05-05 | 李忠仁、赵晓燕、何福秀 |
| 25 | 霍尔器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610321598.7 | 2026-03-17 | CN121888864B | 2026-07-10 | 黄艳、赵晓燕 |
| 26 | 半导体器件及其制作方法、芯片、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610319423.2 | 2026-03-16 | CN122318295A | 2026-06-30 | 黄艳、赵晓燕 |
| 27 | MEMS结构及其制备方法和测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610263262.X | 2026-03-05 | CN122102048A | 2026-05-29 | 王红海 |
| 28 | 半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610264470.1 | 2026-03-05 | CN122301116A | 2026-06-30 | 王曦 |
| 29 | 一种霍尔元件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610252635.3 | 2026-03-03 | CN122121538A | 2026-05-29 | 李宏伟 |
| 30 | DUP器件的焊盘结构及其打线方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610252633.4 | 2026-03-03 | CN122121712A | 2026-05-29 | 李宏伟 |
| 31 | MEMS微镜及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610242335.7 | 2026-02-28 | CN122218940A | 2026-06-16 | 毕丽丽、罗传鹏 |
| 32 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610235585.8 | 2026-02-27 | CN122121255A | 2026-05-29 | 黄艳、赵晓燕、石磊 |
| 33 | 垂直腔面发射激光器的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610206631.1 | 2026-02-12 | CN122068361A | 2026-05-19 | 靳闪闪、何琼 |
| 34 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610201260.8 | 2026-02-11 | CN122054671A | 2026-05-15 | 黄艳、赵晓燕 |
| 35 | 滤波器及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610191106.7 | 2026-02-10 | CN122119555A | 2026-05-29 | 穆苑龙、王鹏、姚阳文、徐泽洋 |
| 36 | MEMS器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610173899.X | 2026-02-06 | CN121974292A | 2026-05-05 | 胡永宝、姚阳文、徐泽洋 |
| 37 | MEMS器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610161355.1 | 2026-02-04 | CN122054059A | 2026-05-15 | 王鹏 |
| 38 | 高压电容隔离器及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610156455.5 | 2026-02-04 | CN121645907B | 2026-05-26 | 徐涛、王旭、刘晓雪 |
| 39 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610144599.9 | 2026-02-02 | CN122054611A | 2026-05-15 | 张子文、赵晓燕、林笛 |
| 40 | 深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610075516.5 | 2026-01-20 | CN121888936A | 2026-04-17 | 张涛、王旭 |
| 41 | 用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610075821.4 | 2026-01-20 | CN122028704A | 2026-05-12 | 李忠仁、赵晓燕、何启庆 |
| 42 | 负性光刻胶去边方法 | 发明专利 | 公布 | CN202512047655.5 | 2025-12-31 | CN121657384A | 2026-03-13 | 张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩 |
| 43 | 封装件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202512031182.X | 2025-12-30 | CN121772812A | 2026-03-31 | 徐达武、龚俊能 |
| 44 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511994715.8 | 2025-12-26 | CN121728807A | 2026-03-24 | 叶强飞、黎哲、何云、罗顶 |
| 45 | 电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511994584.3 | 2025-12-26 | CN121772735A | 2026-03-31 | 黄艳、赵晓燕、钟鹏 |
| 46 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511980858.3 | 2025-12-25 | CN121712052A | 2026-03-20 | 叶强飞、黎哲、何云、罗顶 |
| 47 | 输出芯片及光控继电器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511953919.7 | 2025-12-23 | CN121814072A | 2026-04-07 | 李宝杰、任文珍、丛茂杰 |
| 48 | 一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511882683.2 | 2025-12-15 | CN121310023B | 2026-04-14 | 傅思宇、陆晓龙、徐泽洋、姚阳文 |
| 49 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511868002.7 | 2025-12-11 | CN121645906A | 2026-03-10 | 秦永山、王旭 |
| 50 | 晶圆异常原因分析方法、电子设备和可读存储介质 | 发明专利 | 公布 | CN202511867408.3 | 2025-12-11 | CN121682332A | 2026-03-17 | 王颖、康栋、李鹏、孙海丽 |
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