观点网讯:8月31日,据《科创板日报》援引首尔经济日报报道,三星电子正配合英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器(HBM4E)。
与原计划的12层、16层方案相比,8层设计显著降低堆叠高度。英伟达提出的速度规格为17-18Gbps,较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%。
据悉,该产品将用于NVHBM。
另据报道,三星已于今年5月率先向全球客户出货HBM4E样品。
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