8月29日消息,国家知识产权局信息显示,东芯半导体股份有限公司申请一项名为“硬件自毁装置”的专利,授权公告号CN224696346U,授权公告日为2026年8月28日。申请号为CN202521994432.9,申请公布日期为2026年8月28日,申请日期为2025年9月16日,发明人吴平,专利代理机构上海专利商标事务所有限公司,专利代理师殷明、黄嵩泉,分类号G06F21/79。
专利摘要显示,本公开涉及一种硬件自毁装置,包括:壳体;加热层;绝缘层;芯片层;以及焊盘通孔,加热层、绝缘层、芯片层按照该顺序从上至下设置在壳体内,焊盘通孔贯穿壳体、加热层、绝缘层、芯片层,该硬件自毁装置还包括:存储单元,该存储单元设置在芯片层中,用于存储数据;加热单元,该加热单元设置在加热层中,并且在存储单元的正上方,用于对存储单元进行加热,以删除存储单元的数据;以及控制单元,该控制单元设置在芯片层中,用于对存储单元进行控制,并对加热单元的加热进行控制,若控制单元接收到自毁信号,则向加热单元发出控制短路信号,使得加热单元对存储单元进行加热。
东芯股份是国内中小容量通用型存储芯片领域领先厂商,依托自主可控技术壁垒深耕存储芯片赛道,具备突出的国产替代价值。公司成立于2014年11月26日,于2021年12月10日在上海证券交易所上市,注册地与办公地均位于上海市。
公司主营业务聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,所属申万行业为电子-半导体-数字芯片设计,同时覆盖存储概念、半导体、高送转三大概念板块。
2026年上半年,公司实现营业收入14.97亿元,在行业53家可比企业中排名第23位,该指标当期行业第一名长鑫科技达1503.1亿元、第二名江波龙为240.88亿元,行业平均数为59.44亿元,行业中位数为13.78亿元;同期实现净利润6.86亿元,行业排名第17位,当期行业第一名长鑫科技净利润达1075.5亿元、第二名江波龙为107.18亿元,行业平均数为29.85亿元,行业中位数为1.99亿元,公司当期盈利表现优于行业半数以上同业企业。
| 指标类型 | 报告期 | 公司数值 | 行业排名/总样本数 | 行业头部企业1数值 | 行业头部企业2数值 | 行业平均数 | 行业中位数 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 营业收入 | 2026年上半年 | 14.97亿元 | 23/53 | 1503.1亿元(长鑫科技) | 240.88亿元(江波龙) | 59.44亿元 | 13.78亿元 |
| 净利润 | 2026年上半年 | 6.86亿元 | 17/53 | 1075.5亿元(长鑫科技) | 107.18亿元(江波龙) | 29.85亿元 | 1.99亿元 |
东芯半导体股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ZQ校准方法及其适用的ZQ校准模块 | 发明专利 | 公布 | CN202610846172.3 | 2026-06-12 | CN122637851A | 2026-08-25 | 俞惠 |
| 2 | 一种运算放大器电路及参考电压训练电路 | 发明专利 | 公布 | CN202610845106.4 | 2026-06-11 | CN122660563A | 2026-08-28 | 李靖 |
| 3 | 放大器电路及该放大器电路的启动方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610611021.X | 2026-05-06 | CN122475655A | 2026-07-28 | 蒋徐前 |
| 4 | NAND Flash芯片写入脉冲强度的调整方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202512046596.X | 2025-12-31 | CN121862176A | 2026-04-14 | 陈慧 |
| 5 | 信号时序控制电路和信号时序控制方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202512042460.1 | 2025-12-31 | CN121884898A | 2026-04-17 | 俞惠、刘亮、吕军 |
| 6 | 反熔丝芯片、检测电路以及反熔丝检测方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511837741.X | 2025-12-08 | CN121662125A | 2026-03-13 | 聂明漩 |
| 7 | 数据串并转换电路、数据串并转换锁存方法及存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511775208.5 | 2025-11-28 | CN121585182A | 2026-02-27 | 宋东蔚 |
| 8 | 硬件自毁装置 | 实用新型 | 授权 | CN202521994432.9 | 2025-09-16 | CN224696346U | 2026-08-28 | 吴平 |
| 9 | 一种用于非易失性存储器的写入功耗降低的方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411981682.9 | 2024-12-31 | CN119905128A | 2025-04-29 | 曹健睿、陈慧、陈纬荣 |
| 10 | 上电检测电路及上电检测方法 | 发明专利 | 授权 | CN202411962901.9 | 2024-12-30 | CN119811459B | 2026-05-05 | 胡嘉伦 |
| 11 | 反熔丝存储阵列以及反熔丝存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411950954.9 | 2024-12-27 | CN119889403A | 2025-04-25 | 任雪 |
| 12 | 写操作时序逻辑电路及存储器 | 发明专利 | 授权 | CN202411937502.7 | 2024-12-26 | CN119864058B | 2025-12-30 | 宋东蔚 |
| 13 | ZQ校准模块及存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411799189.5 | 2024-12-09 | CN119724303A | 2025-03-28 | 俞惠、刘亮 |
| 14 | 温度传感器电路以及DDR3半导体存储芯片 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411791946.4 | 2024-12-06 | CN119595133A | 2025-03-11 | 蒋徐前 |
| 15 | LDO电路 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411726655.7 | 2024-11-28 | CN119597082A | 2025-03-11 | 田铂城、沈凯斌 |
| 16 | AB类运算放大器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411722573.5 | 2024-11-28 | CN119649866A | 2025-03-18 | 田铂城 |
| 17 | 反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器 | 发明专利 | 授权 | CN202411671481.9 | 2024-11-21 | CN119601064B | 2026-03-06 | 任雪、俞惠 |
| 18 | 延时电路版图及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411571204.0 | 2024-11-06 | CN119623395A | 2025-03-14 | 沈凯斌 |
| 19 | DDR时钟同步系统和具备该系统的DDR内存芯片 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411269993.2 | 2024-09-11 | CN119226198A | 2024-12-31 | 刘浩杰、刘亮、沈凯斌、聂明漩 |
| 20 | 片内终结电路模块及该片内终结电路模块的数据保持方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411143918.1 | 2024-08-20 | CN119132359A | 2024-12-13 | 陆秋实、刘亮、李解 |
| 21 | 锁相环延迟时间调整装置、方法及时钟同步系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411005156.9 | 2024-07-25 | CN118824312A | 2024-10-22 | 刘浩杰、聂明漩 |
| 22 | 提高NORFLASH配置模块数据准确率的方法、装置、存储介质及存储设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410214635.5 | 2024-02-27 | CN118098309A | 2024-05-28 | 王潇潇 |
| 23 | 半导体存储器及其形成方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410169256.9 | 2024-02-06 | CN118019333A | 2024-05-10 | 郑明勋 |
| 24 | 一次可编程存储器、读写方法以及DRAM存储设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311767256.0 | 2023-12-20 | CN117746961A | 2024-03-22 | 胡杰 |
| 25 | NAND闪存单元及NAND闪存单元的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311696506.6 | 2023-12-11 | CN117641922A | 2024-03-01 | 周震、金镇湖 |
| 26 | 非易失性存储器及其编程方法、计算机系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311533307.3 | 2023-11-16 | CN117558322A | 2024-02-13 | 冯鹏亮 |
| 27 | 存储器装置及其数据操作方法 | 发明专利 | 授权 | CN202311439982.X | 2023-10-31 | CN117435140B | 2026-08-21 | 胡杰 |
| 28 | 电流镜组的共质心布局及其布局方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311169463.6 | 2023-09-11 | CN117217157A | 2023-12-12 | 肖陈贵、唐力、赖荣钦、郑龙权、胡杰 |
| 29 | NOR闪存存储器的刷新方法及装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202310800165.6 | 2023-06-30 | CN116779001A | 2023-09-19 | 孙天宇 |
| 30 | 半导体器件的金属层布局方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202310573621.8 | 2023-05-19 | CN116583108A | 2023-08-11 | 唐力 |
| 31 | 循环冗余校验电路及DDR存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202310424643.8 | 2023-04-19 | CN116453578A | 2023-07-18 | 赖荣钦 |
| 32 | 写入均衡检测器、写入均衡检测电路及存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202310231864.3 | 2023-03-10 | CN116524972A | 2023-08-01 | 郑龙权 |
| 33 | NAND闪存及其制作方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202211729243.X | 2022-12-30 | CN115988881A | 2023-04-18 | 金镇湖 |
| 34 | NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211708522.8 | 2022-12-29 | CN115831203A | 2023-03-21 | 沈嘉怡 |
| 35 | 非易失性存储器及其数据读取方法、计算机系统 | 发明专利 | 授权 | CN202211503529.6 | 2022-11-28 | CN115841838B | 2026-02-03 | 王潇潇 |
| 36 | 非易失性存储器的编程方法以及存储装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211280334.X | 2022-10-19 | CN115602232A | 2023-01-13 | 冯鹏亮 |
| 37 | 非易失性存储器及其擦除方法、计算机系统 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202211123715.7 | 2022-09-15 | CN115440284A | 2022-12-06 | 陈慧 |
| 38 | 用于过擦除修复的方法和存储装置 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210961804.2 | 2022-08-11 | CN115295056B | 2025-05-13 | 陈纬荣 |
| 39 | 间隔振荡器及其控制方法、以及具备该间隔振荡器的存储器 | 发明专利 | 授权 | CN202210949585.6 | 2022-08-09 | CN115295034B | 2025-09-30 | 赖荣钦 |
| 40 | 振荡周期匹配装置、方法、存储器及计算机可读取介质 | 发明专利 | 授权 | CN202210871210.2 | 2022-07-22 | CN115118256B | 2025-11-14 | 赖荣钦 |
| 41 | 一种占空比调节器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210849664.X | 2022-07-19 | CN115116505A | 2022-09-27 | 赖荣钦 |
| 42 | 一种占空比调节器 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210849957.8 | 2022-07-19 | CN115116506B | 2025-08-15 | 赖荣钦 |
| 43 | 一种占空比调节器 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210849584.4 | 2022-07-19 | CN115132243B | 2025-08-19 | 赖荣钦 |
| 44 | 一种占空比调节器 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210849633.4 | 2022-07-19 | CN115001454B | 2025-08-26 | 赖荣钦 |
| 45 | 存储器及其去耦方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210767899.4 | 2022-06-30 | CN115064194A | 2022-09-16 | 赖荣钦 |
| 46 | 具有校准功能的存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210767408.6 | 2022-06-30 | CN115064193A | 2022-09-16 | 赖荣钦 |
| 47 | 存储器及其去耦方法 | 发明专利 | 授权 | CN202210768197.8 | 2022-06-30 | CN115064195B | 2026-07-14 | 赖荣钦 |
| 48 | 存储器 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210714079.9 | 2022-06-22 | CN115188407B | 2025-09-09 | 赖荣钦 |
| 49 | 时序转换装置、方法、写入均衡系统及计算机可读取介质 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210699757.9 | 2022-06-20 | CN115021725B | 2025-06-27 | 赖荣钦 |
| 50 | CAM单元检查模块及其检查方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210288757.X | 2022-03-23 | CN114649049B | 2025-08-29 | 方斗敬 |
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