东芯半导体取得硬件自毁装置相关专利,该装置可受控加热销毁芯片存储数据
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2026-08-29 09:28:11
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8月29日消息,国家知识产权局信息显示,东芯半导体股份有限公司申请一项名为“硬件自毁装置”的专利,授权公告号CN224696346U,授权公告日为2026年8月28日。申请号为CN202521994432.9,申请公布日期为2026年8月28日,申请日期为2025年9月16日,发明人吴平,专利代理机构上海专利商标事务所有限公司,专利代理师殷明、黄嵩泉,分类号G06F21/79。

专利摘要显示,本公开涉及一种硬件自毁装置,包括:壳体;加热层;绝缘层;芯片层;以及焊盘通孔,加热层、绝缘层、芯片层按照该顺序从上至下设置在壳体内,焊盘通孔贯穿壳体、加热层、绝缘层、芯片层,该硬件自毁装置还包括:存储单元,该存储单元设置在芯片层中,用于存储数据;加热单元,该加热单元设置在加热层中,并且在存储单元的正上方,用于对存储单元进行加热,以删除存储单元的数据;以及控制单元,该控制单元设置在芯片层中,用于对存储单元进行控制,并对加热单元的加热进行控制,若控制单元接收到自毁信号,则向加热单元发出控制短路信号,使得加热单元对存储单元进行加热。

东芯股份是国内中小容量通用型存储芯片领域领先厂商,依托自主可控技术壁垒深耕存储芯片赛道,具备突出的国产替代价值。公司成立于2014年11月26日,于2021年12月10日在上海证券交易所上市,注册地与办公地均位于上海市。

公司主营业务聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,所属申万行业为电子-半导体-数字芯片设计,同时覆盖存储概念、半导体、高送转三大概念板块。

2026年上半年,公司实现营业收入14.97亿元,在行业53家可比企业中排名第23位,该指标当期行业第一名长鑫科技达1503.1亿元、第二名江波龙为240.88亿元,行业平均数为59.44亿元,行业中位数为13.78亿元;同期实现净利润6.86亿元,行业排名第17位,当期行业第一名长鑫科技净利润达1075.5亿元、第二名江波龙为107.18亿元,行业平均数为29.85亿元,行业中位数为1.99亿元,公司当期盈利表现优于行业半数以上同业企业。

指标类型 报告期 公司数值 行业排名/总样本数 行业头部企业1数值 行业头部企业2数值 行业平均数 行业中位数
营业收入 2026年上半年 14.97亿元 23/53 1503.1亿元(长鑫科技) 240.88亿元(江波龙) 59.44亿元 13.78亿元
净利润 2026年上半年 6.86亿元 17/53 1075.5亿元(长鑫科技) 107.18亿元(江波龙) 29.85亿元 1.99亿元

东芯半导体股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1ZQ校准方法及其适用的ZQ校准模块发明专利公布CN202610846172.32026-06-12CN122637851A2026-08-25俞惠
2一种运算放大器电路及参考电压训练电路发明专利公布CN202610845106.42026-06-11CN122660563A2026-08-28李靖
3放大器电路及该放大器电路的启动方法发明专利公布CN202610611021.X2026-05-06CN122475655A2026-07-28蒋徐前
4NAND Flash芯片写入脉冲强度的调整方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046596.X2025-12-31CN121862176A2026-04-14陈慧
5信号时序控制电路和信号时序控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512042460.12025-12-31CN121884898A2026-04-17俞惠、刘亮、吕军
6反熔丝芯片、检测电路以及反熔丝检测方法发明专利公布CN202511837741.X2025-12-08CN121662125A2026-03-13聂明漩
7数据串并转换电路、数据串并转换锁存方法及存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202511775208.52025-11-28CN121585182A2026-02-27宋东蔚
8硬件自毁装置实用新型授权CN202521994432.92025-09-16CN224696346U2026-08-28吴平
9一种用于非易失性存储器的写入功耗降低的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411981682.92024-12-31CN119905128A2025-04-29曹健睿、陈慧、陈纬荣
10上电检测电路及上电检测方法发明专利授权CN202411962901.92024-12-30CN119811459B2026-05-05胡嘉伦
11反熔丝存储阵列以及反熔丝存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202411950954.92024-12-27CN119889403A2025-04-25任雪
12写操作时序逻辑电路及存储器发明专利授权CN202411937502.72024-12-26CN119864058B2025-12-30宋东蔚
13ZQ校准模块及存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202411799189.52024-12-09CN119724303A2025-03-28俞惠、刘亮
14温度传感器电路以及DDR3半导体存储芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202411791946.42024-12-06CN119595133A2025-03-11蒋徐前
15LDO电路发明专利实质审查的生效、公布CN202411726655.72024-11-28CN119597082A2025-03-11田铂城、沈凯斌
16AB类运算放大器发明专利实质审查的生效、公布CN202411722573.52024-11-28CN119649866A2025-03-18田铂城
17反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器发明专利授权CN202411671481.92024-11-21CN119601064B2026-03-06任雪、俞惠
18延时电路版图及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411571204.02024-11-06CN119623395A2025-03-14沈凯斌
19DDR时钟同步系统和具备该系统的DDR内存芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202411269993.22024-09-11CN119226198A2024-12-31刘浩杰、刘亮、沈凯斌、聂明漩
20片内终结电路模块及该片内终结电路模块的数据保持方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411143918.12024-08-20CN119132359A2024-12-13陆秋实、刘亮、李解
21锁相环延迟时间调整装置、方法及时钟同步系统发明专利实质审查的生效、公布CN202411005156.92024-07-25CN118824312A2024-10-22刘浩杰、聂明漩
22提高NORFLASH配置模块数据准确率的方法、装置、存储介质及存储设备发明专利实质审查的生效、公布CN202410214635.52024-02-27CN118098309A2024-05-28王潇潇
23半导体存储器及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410169256.92024-02-06CN118019333A2024-05-10郑明勋
24一次可编程存储器、读写方法以及DRAM存储设备发明专利实质审查的生效、公布CN202311767256.02023-12-20CN117746961A2024-03-22胡杰
25NAND闪存单元及NAND闪存单元的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311696506.62023-12-11CN117641922A2024-03-01周震、金镇湖
26非易失性存储器及其编程方法、计算机系统发明专利实质审查的生效、公布CN202311533307.32023-11-16CN117558322A2024-02-13冯鹏亮
27存储器装置及其数据操作方法发明专利授权CN202311439982.X2023-10-31CN117435140B2026-08-21胡杰
28电流镜组的共质心布局及其布局方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311169463.62023-09-11CN117217157A2023-12-12肖陈贵、唐力、赖荣钦、郑龙权、胡杰
29NOR闪存存储器的刷新方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202310800165.62023-06-30CN116779001A2023-09-19孙天宇
30半导体器件的金属层布局方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310573621.82023-05-19CN116583108A2023-08-11唐力
31循环冗余校验电路及DDR存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202310424643.82023-04-19CN116453578A2023-07-18赖荣钦
32写入均衡检测器、写入均衡检测电路及存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202310231864.32023-03-10CN116524972A2023-08-01郑龙权
33NAND闪存及其制作方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202211729243.X2022-12-30CN115988881A2023-04-18金镇湖
34NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202211708522.82022-12-29CN115831203A2023-03-21沈嘉怡
35非易失性存储器及其数据读取方法、计算机系统发明专利授权CN202211503529.62022-11-28CN115841838B2026-02-03王潇潇
36非易失性存储器的编程方法以及存储装置发明专利实质审查的生效、公布CN202211280334.X2022-10-19CN115602232A2023-01-13冯鹏亮
37非易失性存储器及其擦除方法、计算机系统发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202211123715.72022-09-15CN115440284A2022-12-06陈慧
38用于过擦除修复的方法和存储装置发明专利授权、公布CN202210961804.22022-08-11CN115295056B2025-05-13陈纬荣
39间隔振荡器及其控制方法、以及具备该间隔振荡器的存储器发明专利授权CN202210949585.62022-08-09CN115295034B2025-09-30赖荣钦
40振荡周期匹配装置、方法、存储器及计算机可读取介质发明专利授权CN202210871210.22022-07-22CN115118256B2025-11-14赖荣钦
41一种占空比调节器发明专利实质审查的生效、公布CN202210849664.X2022-07-19CN115116505A2022-09-27赖荣钦
42一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849957.82022-07-19CN115116506B2025-08-15赖荣钦
43一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849584.42022-07-19CN115132243B2025-08-19赖荣钦
44一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849633.42022-07-19CN115001454B2025-08-26赖荣钦
45存储器及其去耦方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210767899.42022-06-30CN115064194A2022-09-16赖荣钦
46具有校准功能的存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202210767408.62022-06-30CN115064193A2022-09-16赖荣钦
47存储器及其去耦方法发明专利授权CN202210768197.82022-06-30CN115064195B2026-07-14赖荣钦
48存储器发明专利授权、公布CN202210714079.92022-06-22CN115188407B2025-09-09赖荣钦
49时序转换装置、方法、写入均衡系统及计算机可读取介质发明专利授权、公布CN202210699757.92022-06-20CN115021725B2025-06-27赖荣钦
50CAM单元检查模块及其检查方法发明专利授权、公布CN202210288757.X2022-03-23CN114649049B2025-08-29方斗敬

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