7月4日消息，国家知识产权局信息显示，普冉半导体（上海）股份有限公司申请一项名为“一种芯片散热片测试系统和方法”的专利，授权公告号CN116106723B，授权公告日为2026年7月3日。申请公布号为CN116106723A，申请号为CN202310115862.8，申请公布日期为2026年7月3日，申请日期为2023年2月15日，发明人李超，专利代理机构上海硕力知识产权代理事务所（特殊普通合伙），专利代理师童素珠，分类号G01R31/28、G01R31/66。

专利摘要显示，本发明公开了一种芯片散热片测试系统和方法，其中系统包括：电源模块，用于向散热片检测模块输入电源的工况，工况包括：电压和电流；散热片检测模块，用于根据电源的工况，得到散热片检测模块中的测试芯片接口管脚的工况和固定在测试芯片上的散热片的工况，将芯片接口管脚的工况和散热片的工况发送给分析输出模块；分析输出模块，用于分析测试芯片接口管脚的工况、散热片的工况，输出散热片测试结果，散热片测试结果包括：预检测散热片的工况提供通道与散热片是否正常接触的结果、测试散热片是否处于异常短接状态的结果。本发明能够及时发现散热片是否短接芯片接口管脚，避免芯片管脚线搭到散热片，却无法在封装测试测出，影响客户正常使用。

天眼查数据显示，普冉半导体（上海）股份有限公司成立日期2016年1月4日，法定代表人王楠，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为中型，注册资本14804.9102万人民币，实缴资本14804.9102万人民币，注册地址为中国（上海）自由贸易试验区银冬路20弄8号地下1层、地下2层、地下3层、2层、3层、4层、5层。普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息35条，专利信息224条，拥有行政许可7个。

普冉半导体（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

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