原标题：韩国豪赌「下一个DRAM」

近日，一则来自韩国的消息引发全球半导体行业的高度关注。

韩国政府正式启动“超级创新经济项目”，计划投入5000亿韩元国家资金，专项攻关碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等下一代功率半导体技术。若算上民间配套资金，该研发项目总规模预计将膨胀至7500亿韩元。

在当地时间6月14日召开的紧急经济指挥部会议上，韩国副总理兼经济财政部长官具允哲敲定了该项目细则，更是直接将下一代功率半导体定义为“堪比存储芯片的核心战略产业”，与小型模块化反应堆、AI传感器并列为未来三大增长引擎。

谈及韩国半导体，世人的*印象基本都是存储——三星与SK海力士掌控着全球七成以上的DRAM市场，NAND Flash领域同样称霸全球，AI浪潮下的HBM更是让韩国半导体赚得盆满钵满。

然而，辉煌的另一面是结构性的偏科：在逻辑芯片、模拟芯片乃至功率半导体等非存储赛道，韩国的存在感远不及欧美、日本和中国市场，这种过度依赖单一赛道的隐患，在地缘政治与技术博弈日益复杂的当下愈发凸显。

或许正因如此，当韩国政府高调启动“超级创新经济项目”，将功率半导体拔高至与存储芯片同等的战略地位时，外界既感意外，更生好奇。

那么，韩国缘何选择此时发力功率半导体？此番举国加码是临时起意的跟风，还是一场面向产业未来的战略豪赌？转向背后，韩国能否成功探索出存储赛道之外的第二增长曲线？

起底韩国功率半导体产业的真实家底

长期以来，外界对韩国半导体产业的印象几乎被三星电子和SK海力士的存储芯片所占据。这并不奇怪——韩国在全球DRAM市场的占有率超过70%，在NAND闪存市场的份额也超过50%，是名副其实的存储器霸主。

然而，功率半导体对于韩国而言，却是一个长期被忽视的薄弱环节。

相关数据显示，全球功率半导体市场当前仍由欧洲、美国和日本企业主导。2024年全球功率半导体市占率前十的企业中，英飞凌、恩智浦、安森美、意法半导体、瑞萨电子等传统巨头牢牢占据前列。相比之下，韩国虽然在存储器领域具备世界最高水平的竞争力，但在IGBT、MOSFET等功率半导体领域却长期缺席主流玩家行列，这一点在韩国*国策智库的报告中也被坦承。

但这并不完全意味着韩国缺乏功率半导体相关的积累和布局。

事实上，韩国在化合物半导体领域的技术积淀可以追溯至上世纪90年代。据报道，韩国早在1992年便开始投入化合物半导体技术的研发，但因长期预算不足，产业发展始终未达预期。

直到近年，随着全球对SiC、GaN等第三代半导体材料需求的爆发式增长，韩国才真正开始发力。

2016年，韩国围绕硅基GaN与SiC器件启动功率电子国家专项，重点攻克高纯SiC粉末、单晶生长、外延材料等上游卡脖子环节；2021年，韩国产业通商资源部发布先进功率半导体研发与产能提升计划，明确将SiC、GaN、氧化镓列为三大核心材料方向，提出支持6-8英寸晶圆产线建设。

从早期的技术跟踪到如今的举国攻坚，韩国功率半导体已形成了巨头引领、中小企业补位、公共平台支撑的产业格局，第三代宽禁带半导体更是成为核心发力点。

双巨头带队：三星与SK集团的差异化路径

作为韩国半导体的两大支柱，三星与SK集团不约而同将功率半导体视为第二增长曲线，但选择了截然不同的切入方式。

三星电子采取的是“代工+IDM双线并行”的策略。在SiC领域，三星早在2023年便启动了相关布局，后受存储行业下行周期影响一度放缓，2026年正式全面重启。

三星路径清晰且激进：直接跳过6英寸阶段，瞄准8英寸SiC产线建设，2026年第三季度将推出*面向车规与工业应用的平面栅SiC MOSFET样品，2027年建成试点产线验证工艺，2028年实现规模化量产。

为补足技术短板，三星还聘请了拥有25年功率半导体经验的安森美前高管洪锡俊执掌业务，同时在沟槽型MOSFET、超结SiC等前沿技术上多线布局，累计申请多项核心专利。

在GaN赛道，三星定位为晶圆代工服务商，8英寸硅基GaN产线已进入量产前准备阶段，预计2026年第二季度全面投产，覆盖消费电子、数据中心与汽车应用场景，试图承接台积电退出GaN代工后的市场空缺。

相较之下，SK集团则依托自身产业链基础，走垂直整合的路线。

其旗下SK Siltron作为韩国衬底龙头，2019年通过收购杜邦SiC事业部快速切入赛道，目前在美国与韩国均建有6英寸SiC衬底产线，远期年产能规划达50万片，同时推进8英寸衬底技术研发。

代工端，SK Keyfoundry拥有一座月产能约10万片晶圆的工厂，主要从事模拟混合信号芯片的代工业务，产品包括显示驱动芯片（DDI）、微控制器（MCU）和8英寸功率分立器件等，适用于小批量多样化产品生产。

2025年3月，SK keyfoundry通过收购SK Powertech获得成熟SiC工艺技术，已完成1200V SiC MOSFET研发，计划2026年*季度实现量产，重点面向汽车动力系统与工业电源市场；同时同步开发650V GaN工艺，与韩国本土汽车供应链合作验证800V系统下的DC-DC转换应用。据悉，SK Powertech前身为Yes PowerTechnics，2022年被SK Inc.纳入旗下，其核心优势在于碳化硅功率半导体的设计与制造技术。

器件端，SK控股的Yes Power Technix是韩国本土SiC器件先行者，拥有浦项与釜山两大生产基地，SiC年产能达2.9万片，产品覆盖二极管、MOSFET与功率模块，已进入工业与车载供应链。

能看到，从衬底、代工到器件，SK集团已搭建起相对完整的SiC产业链条，也是韩国政府“超级创新项目”的核心牵头企业。

除了两大巨头，韩国还涌现出一批深耕功率半导体的中小企业，构成了产业生态的中坚力量。

Power Master Semiconductor

Power Master Semiconductor（PMS）是韩国本土为数不多的功率IDM厂商，核心团队来自仙童半导体，拥有韩国*的8英寸硅基+6英寸SiC晶圆厂。2022年，PMS推出韩国*1200V SiC MOSFET，开关损耗与品质因数对标国际一线厂商，产品主打工业电源、光伏逆变器与车载充电器场景，同时深耕中国市场，与多家国内企业达成供货合作。

DB HiTek

DB HiTek（东部高科）是韩国功率半导体领域的代表性企业之一。作为*的8英寸纯晶圆代工厂，DB HiTek于2025年12月正式启动了SiC和GaN工艺的多项目晶圆流片，为十余种客户产品生产了样品，并计划于2027年启动全面规模化量产。

DB HiTek还在韩国忠清北道上隅园区扩建无尘室，新设施建成后月产能将增加3.5万片8英寸晶圆，总产能将从目前的15.4万片提升至19万片，增幅达23%。这一产能扩张计划，清晰地勾勒出了DB HiTek意图在全球功率半导体代工市场中占据一席之地的野心。

EYEQ Lab

值得关注的还有EYEQ Lab，这家成立于2018年的功率半导体设计公司，走上了一条与众不同的转型道路。

2025年9月，EYEQ Lab在韩国釜山举行了总部及8英寸SiC生产设施的落成仪式，标志着韩国首座能够实现8英寸SiC功率半导体全流程本土化生产的工厂正式竣工。该工厂总投资1000亿韩元，将从设计公司发展为集设计、制造于一体的IDM企业，也是韩国*所有环节均在本土完成的8英寸SiC生产基地。

据悉，新工厂计划2026年正式投入生产，初期目标为每年生产3万片8英寸晶圆。该工厂不仅将进行内部生产，也接受外部代工订单，旨在进一步提升韩国在SiC功率半导体全球供应链中的竞争力。

同时，EYEQ Lab在2025年初宣布与韩国科学技术院（KAIST）等国内*学府建立研发合作关系，共同开发下一代SiC半导体材料，以探索更高功率、更高频率的应用潜力。

EYEQ Lab的崛起，填补了韩国本土SiC从设计到全流程制造的空白，折射出韩国功率半导体产业逐渐从追赶走向自建的内在逻辑。

Power Cube Semi

Power Cube Semi则以工艺差异化见长，其开发的SiC肖特基二极管可通过一次离子注入完成制造，减少工序显著提升成本竞争力，目前6英寸1200V SiC二极管已实现量产。同时，该公司还承接韩国国家级项目开发沟槽型1700V SiC MOSFET，并与现代汽车合作研发氧化镓功率器件，提前布局下一代材料技术。

此外，长期深耕功率半导体领域的KEC Corporation，于2025年11月入选了面向电动汽车和可再生能源的下一代功率半导体核心器件开发国家项目；ChipScale成功量产650V氮化镓功率半导体，成为韩国首家实现这一技术的公司；TRinno Technology在SiC JBS与MOSFET领域拥有自主工艺，积极推动韩国本土技术自主化。

此外，韩国产业生态中还活跃着约20多家功率半导体IC设计企业，它们构成了一股不容忽视的创新力量。

生态支撑：政策搭台与产业集群

为补齐中小企业的研发与产能短板，韩国政府搭建了完善的公共支撑体系。釜山功率半导体商用化中心（PSCC）是核心载体，该中心建立了可共享的韩国国内*个6英寸碳化硅功率半导体原型制造工厂，配备23套SiC前道工序设备、5套后道设备与22套可靠性认证设备，可为Fabless企业提供原型开发、流片测试与可靠性验证服务，能将研发生产成本降低50%-60%。同时，釜山、浦项等地的专业产业园持续升级，重点承接8英寸化合物半导体产线落地，推动上下游企业集聚发展。

釜山市政府还计划在园区增建8英寸化合物功率半导体的生产设施，该项目已于2024年获得国家及市级基金资助。此外，PSCC的约20家相关子公司计划投资1.1万亿韩元，用以创建下一代功率半导体生态系统。

政策层面，韩国已完成从资金补贴到立法保障的全面升级。2026年1月，韩国审议通过《关于加强半导体产业竞争力和扶持力度的特别法》，设立直属的半导体产业竞争力强化特别委员会，每五年制定产业发展基本计划，为功率半导体等战略赛道提供制度保障。

2026年3月，韩国产业通商资源部（MOTIE）成立了“下一代功率半导体推进小组”，由光云大学具相谟教授领衔，明确2030年将技术自主率从当前10%提升至20%的目标。

为何选择此时豪赌功率半导体？

上文勾勒出了韩国功率半导体产业的现有拼图，但是韩国为何选择此时发力功率半导体？可以从几个角度来分析：

需求端强力牵引

一方面，AI时代催生了功率半导体的价值重估。

在AI算力爆发的背景下，数据中心成为功率半导体的核心应用场景之一。AI服务器向800V高压直流架构演进，固态变压器等新应用不断涌现，正在加速拉动高端功率器件需求。

中信建投的分析报告明确指出，SiC/GaN市场已进入高增长通道。换句话说，功率半导体正从过去默默无闻的基础元器件，一跃成为决定AI基础设施竞争力的关键变量之一。

此外，韩国拥有现代、起亚两大全球车企，2030年纯电动车销量目标超过300万台，其中800V高压平台车型占比持续提升，对SiC功率器件有着刚性需求。

依托本土终端市场，韩国可以通过内需牵引+本土配套的模式，快速推动功率半导体技术迭代与量产落地。这对于急需找到第二增长引擎的韩国而言，是一条不能错过的赛道。

全球供应链重构窗口期收窄

当前全球功率半导体行业竞争日趋激烈。欧洲依托成熟的汽车产业基础，在碳化硅材料的商业化应用领域占据*地位；美国则将高性能功率半导体列为国家战略资产重点管控。

中国市场同样在快速崛起，2024年全球功率半导体市占率前十的企业中，士兰微以3.3%的市场占比跃升至全球第六，比亚迪以3.1%位居全球第七，成为前十中唯二市占率同比提升的企业，且中国功率半导体企业正在继续高歌猛进。

而目前韩国功率半导体进口依赖度高达90%-95%，下一代宽禁带器件的技术自主率仅10%。作为能源进口大国，韩国的新能源汽车、国家电网、AI数据中心等核心基础设施高度依赖海外功率器件，一旦供应链出现波动，将直接冲击产业稳定。

在这样一个竞争激烈的产业格局中，韩国若再不主动出击，很可能面临被彻底边缘化的风险。事实上，有韩国媒体早已发出警告：“韩国功率半导体产业正面临边缘化危机”。

对此，韩国政府在2026年2月正式启动下一代功率半导体国家战略，成立“下一代功率半导体推进小组”，明确提出到2030年将本国技术自主率从目前的约10%提升至20%。

这一战略的核心逻辑在于，在当前地缘政治风险加剧的背景下，若功率半导体供应链长期依赖进口，不仅将制约AI、电动汽车等新兴产业的竞争力，更可能对国家安全构成潜在威胁。

值得注意的是，与以往先研发、后找应用的模式不同，韩国此次战略采取了“需求导向”的全新策略——在电动汽车、国家电网、AI数据中心等重点需求行业的规划阶段，就提前明确对功率半导体的性能标准与规格要求，再反向制定技术研发路线图，实现研发与需求的精准对接，避免技术与市场脱节。

这种从“技术驱动”转向“需求驱动”的策略调整，直接指向了韩国国内的一个长期痛点：下游企业对已稳定使用的进口功率半导体零部件缺乏替换动力，导致国产产品难以落地应用。

打造存储之外的第二增长曲线

AI浪潮虽然为韩国存储产业带来了*繁荣，但繁荣之下，隐忧同样暗流涌动。存储行业固有的周期性波动从未消失，而来自中国等竞争对手的追赶步伐亦在加快——DRAM与NAND领域的技术差距正被迅速缩小。对三星和SK海力士而言，过度依赖单一赛道的业务结构，注定难以在行业周期的潮起潮落中独善其身。

而功率半导体恰好处在一个截然不同的增长通道中。据市场研究机构预测，全球SiC功率半导体市场规模年复合增长率超过20%，2030年有望突破百亿美元。更为关键的是，高端功率器件毛利率可达50%以上，远超传统存储产品。高增长叠加高利润，让这条赛道具备了承接韩国半导体“第二增长引擎”的想象空间。

由此，韩国此番加码，或许意在复制其存储产业曾经走过的“举国投入+规模降本+全球垄断”的成功路径。这套打法在DRAM和NAND上已被验证有效，如今被移植至功率半导体领域，目标不言自明：打造出继HBM之后的又一增长极，以此对冲存储周期的波动风险，为韩国半导体寻找一条更稳健的出路。

韩国突围之路，挑战重重

韩国发力功率半导体的决心不可谓不大，但它所面临的挑战同样不容忽视。

韩国科学技术企划评价院2025年发布的一项针对39名当地半导体领域专家的调查结果，给出了一个令人震惊的结论：韩国在半导体技术领域的整体水平已被中国反超。具体到功率半导体领域，中国技术成熟度得分为79.8%，韩国为67.5%。

更引人深思的是，韩国专家自身也承认，两年前的判断已全面翻车，韩国在基础研究和设计环节的落后尤为明显。

在功率半导体这一细分赛道，中国厂商追赶的速度确实令人侧目。国内自2014年起便推动功率半导体自主化，已构建起从材料到终端产品的完整制造体系。在中国企业的产能扩张和价格攻势面前，一众欧美巨头都纷纷调整应对策略，加紧扩产布局步伐，角逐新一代功率半导体技术标准。

正是在这样的背景下，业界甚至有观点直言：“韩国功率半导体跟中国竞争没机会，不止韩国，日美韩在功率半导体领域都没机会。”

这种说法虽然激进，却点出了韩国面临的核心困境——作为后发者，韩国既要突破欧美日的专利壁垒，又要面对中国产业链的规模与成本优势，双重挤压下的突围难度远超当年的存储赛道。

有行业专家向笔者表示，韩国功率半导体的突围路上需要面对四座大山。

专利与技术壁垒

当前全球SiC、GaN核心专利与高端工艺牢牢掌握在英飞凌、安森美、意法半导体、Wolfspeed等欧美厂商手中，这些企业拥有数十年的技术积累，构建了严密的专利网。韩国企业起步晚，核心专利储备不足，车规级可靠性验证、量产良率控制等关键环节都需要长期打磨。以沟槽型SiC MOSFET为例，意法半导体研发多年仍选择暂缓商业化，三星虽多线布局前沿技术，但要实现稳定量产并通过车规认证，至少需要3-5年时间。

产业链基础薄弱

尽管韩国已布局全产业链，但多数环节仍处于追赶状态，高端材料、核心设备依然依赖进口。比如SiC生长炉、MOCVD设备、高能离子注入机等核心装备，主要来自德国、美国厂商；高端衬底的良率、一致性与海外头部企业存在明显差距。要实现真正的自主可控，需要从材料到设备的全链条突破，绝非短期砸钱就能见效。

市场格局固化与生态短板

高端功率半导体市场尤其是车规级领域，客户粘性极强，导入周期长达3-5年，IDM头部厂商与全球主流车企已深度绑定，韩国企业想要切入供应链难度极大。而在中低端市场，中国厂商凭借庞大的本土市场、工程师红利与全产业链配套，已经形成显著的成本优势，产品性价比远超韩国企业。韩国功率半导体很容易陷入“高端打不过欧美，中低端拼不过中国”的尴尬境地。

专业人才缺口

韩国半导体人才高度集中在存储领域，功率半导体尤其是宽禁带半导体的研发、工艺、应用人才储备严重不足。功率半导体是典型的经验驱动型产业，人才培养需要长期积累，短期内难以通过高薪招聘快速补足，这将成为制约产业扩张的长期短板。

但一个更根本的挑战可能来自韩国的产业结构自身。

韩国半导体产业过于集中于存储芯片的偏科结构，使得其在逻辑芯片、模拟芯片和功率半导体等领域的积累远不如欧美、日本深厚。有韩国媒体评论指出，韩国过去依赖量产工艺吃老本，现在发现设计源头已经跟不上。这种结构性短板，恐怕不是5000亿韩元的政府投资可以短期弥补的。

因为功率半导体的竞争逻辑与存储截然不同：存储是标准化产品，靠规模与成本取胜；功率半导体是定制化、场景化产品，靠专利积累、可靠性验证与客户深度绑定建立壁垒。韩国熟悉的“砸钱扩产、快速降本”的存储打法，在功率赛道未必行得通。

写在最后

综合来看，韩国此次大规模押注功率半导体，既是被动的防御战——回应在该领域的潜在安全风险；也是主动的未来战——力图在AI与新能源汽车时代抢占高端功率器件的话语权。

韩国政府构建的全产业链联盟模式，以及计划到2030年将功率半导体技术与产能自给率提升一倍的目标，展现了其系统性改革的决心。其本土企业的技术突破和产能扩张，也为韩国功率半导体产业增添了底气。

然而，在技术与市场的双重夹击之下，韩国能否真正走出一条差异化道路，避免在功率半导体领域重演存储芯片之外长期落后的局面，仍是未知数。正如那句尖锐的业界论断所揭示的——当中国功率半导体以更快速度、更优成本不断赶超时，留给韩国的时间窗口，或许并没有想象中那么充裕。

但可以确定的是，当全球半导体产业的竞争版图从存储芯片延伸到功率芯片，从传统硅基拓展到SiC和GaN新材料，这场关于“下一代半导体”的竞赛，正迎来竞争关键期。韩国选择在这个时间节点上全力押注，本身就是对时代变局的最直接回应。

未来数年，我们或将亲眼见证，这次转身能否为韩国带来继存储芯片之后的第二张半导体王牌。