深爱半导体取得纯水电阻率装置相关专利，根据水压信息自动调节纯水电阻率除静电_财经一览

深爱半导体取得纯水电阻率装置相关专利，根据水压信息自动调节纯水电阻率除静电

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2026-06-06 10:28:13

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6月6日消息，国家知识产权局信息显示，深圳深爱半导体股份有限公司申请一项名为“纯水电阻率调节装置、纯水电阻率调节方法和计算机设备”的专利，授权公告号CN118724098B，授权公告日为2026年6月5日。申请公布号为CN118724098A，申请号为CN202410764928.0，申请公布日期为2026年6月5日，申请日期为2024年6月14日，发明人李瑞禅、何宗军、郑少鹏，专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司，专利代理师舒丁，分类号C02F1/00、C02F1/66、G05D11/13、C02F103/04。

专利摘要显示，本申请涉及一种纯水电阻率调节装置、纯水电阻率调节方法和计算机设备，驱动调节组件分别与碳酸生产组件和纯水管道连通，以便于驱动碳酸溶液进入纯水管道，以降低纯水的电阻率，由于纯水管道的水压信息与纯水管道内纯水的流量相关，本申请的驱动调节组件还可以通过检测纯水管道的水压信息，根据纯水管道的水压信息调节驱动调节组件的驱动参数，以控制碳酸溶液进入纯水管道的通量，进而调节纯水管道内纯水电阻率，通过本申请的纯水电阻率调节装置，能够根据纯水管道的水压信息自动调节驱动调节组件的驱动参数，进而调节纯水电阻率，去除纯水中的静电。

天眼查数据显示，深圳深爱半导体股份有限公司成立日期1988年2月23日，法定代表人张小涛，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为中型，注册资本25717.2395万人民币，实缴资本23328.5万人民币，注册地址为深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路三号8号办公楼及活动楼2-3层。深圳深爱半导体股份有限公司共对外投资了0家企业，参与招投标项目403次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息172条，拥有行政许可52个。

深圳深爱半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号	专利名称	专利类型	法律状态	申请号	申请日期	公开(公告)号	公开(公告)日期	发明人
1	半导体测试夹具	发明专利	公布	CN202610326162.7	2026-03-17	CN122130992A	2026-06-02	廖晓玉、王勇
2	雪崩测试电路和系统	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202511925636.1	2025-12-19	CN121721451A	2026-03-24	刘飞、黄沛胜、蔡业信、潘国豪、杨英英
3	测试装置	发明专利	公布	CN202511747420.0	2025-11-26	CN121633785A	2026-03-10	陈俊杰、王伟、张轩、丁林花、王勇、廖晓玉
4	驱动电路和打点器	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202511165236.5	2025-08-20	CN120816811A	2025-10-21	余廷义、容科杰、余宦
5	功率器件工作特性测试装置	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202510796954.6	2025-06-16	CN120629759A	2025-09-12	黄沛胜、刘飞、蔡业信
6	快恢复二极管及其制作方法	发明专利	实质审查的生效、实质审查的生效、公布	CN202510395629.9	2025-03-31	CN120343928A	2025-07-18	张镜华、魏国栋、陈璐
7	半导体结构及其制备方法、半导体器件	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202510384714.5	2025-03-28	CN120282512A	2025-07-08	张镜华、魏国栋、陈璐、毕婉晴、陶双福
8	光电流检测装置及系统	实用新型	授权	CN202520498124.0	2025-03-20	CN224022239U	2026-03-20	李国延、陶双福
9	测试底座、测试座子及测试组件	实用新型	授权	CN202520494052.2	2025-03-20	CN224066844U	2026-03-31	杨英英、魏国栋、刘飞、潘国豪
10	测试治具及测试系统	实用新型	授权	CN202520496432.X	2025-03-20	CN224317739U	2026-06-02	杨英英、陈俊杰、潘国豪、刘飞
11	达林顿器件及其制备方法、电子器件	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202411985831.9	2024-12-31	CN119894083A	2025-04-25	魏国栋、张镜华、李水、陈璐、毕婉晴、陶双福
12	洁净新风加热器	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202411891126.2	2024-12-20	CN119713461A	2025-03-28	方雪冰、朱炳燚、许明伟、樊晓兵
13	纯水电阻率调节装置、纯水电阻率调节方法和计算机设备	发明专利	授权	CN202410764928.0	2024-06-14	CN118724098B	2026-06-05	李瑞禅、何宗军、郑少鹏
14	应用于SOP23封装芯片的测试治具与测试系统	实用新型	授权	CN202420620803.6	2024-03-28	CN222719664U	2025-04-04	杨英英、陈俊杰、陶双福、王纪元
15	芯片封装结构	实用新型	授权	CN202420550925.2	2024-03-21	CN222106684U	2024-12-03	杨英英、魏国栋、陶双福、潘国豪
16	功率器件封装结构	实用新型	授权	CN202420395299.4	2024-02-29	CN222088591U	2024-11-29	魏国栋、周大伟
17	集成半导体结构	实用新型	授权	CN202420383862.6	2024-02-29	CN222106697U	2024-12-03	魏国栋、周大伟
18	半导体结构及其制备方法	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202311776396.4	2023-12-22	CN117594528A	2024-02-23	杨发林、李国延、王民涛
19	栅氧层的制造方法及沟槽栅型IGBT的制造方法	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202311332152.7	2023-10-13	CN117153678A	2023-12-01	李国延、杨发林、王民涛
20	继电器测试装置及测试方法	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202311305197.5	2023-10-10	CN117214686A	2023-12-12	余廷义、陈婧波、覃世思、容科杰、胡绍强、朱一璐
21	除胶装置	发明专利	授权、公布	CN202211704748.0	2022-12-29	CN116060335B	2025-01-17	陈立军
22	炉帽及扩散炉	实用新型	授权	CN202223457449.X	2022-12-22	CN218955482U	2023-05-02	佘宇华
23	继电器测试装置	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202211093890.6	2022-09-08	CN116106731B	2023-12-29	余廷义、胡绍强、陈婧波
24	半导体器件结构及其制备方法	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN202111583441.5	2021-12-22	CN114420636A	2022-04-29	李杰、张曌、刘玮、魏国栋
25	半导体器件结构及其制备方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202111583450.4	2021-12-22	CN114420637B	2023-12-29	李杰、张曌、刘玮、魏国栋
26	半导体器件及其制备方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202111408155.5	2021-11-19	CN114267717B	2024-03-01	魏国栋、李杰、李佳玲
27	半导体器件及其制备方法	发明专利	授权	CN202111400001.1	2021-11-19	CN114267716B	2026-03-20	魏国栋、李杰、李佳玲
28	半导体器件结构及其制备方法	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN202111312080.0	2021-11-08	CN114242765A	2022-03-25	李杰、张曌、魏国栋、刘玮
29	功率器件及制备方法	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN202110975597.1	2021-08-24	CN113838910A	2021-12-24	张曌、李杰、魏国栋、刘玮、师云鹏、李佳玲
30	沟槽型原胞结构及制备方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202110955605.6	2021-08-19	CN113838909B	2022-10-14	张曌、李杰、魏国栋、刘玮、李佳玲、师云鹏
31	浪涌电压抗扰度的测试方法和浪涌电压抗扰度的测试装置	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN202110583554.9	2021-05-27	CN113391171A	2021-09-14	李杰、黄伟龙、杨正友、黄沛胜
32	平面T型栅晶体管原胞结构及制作方法	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN202110448665.9	2021-04-25	CN113363315A	2021-09-07	张曌、李杰、刘玮
33	照明灯驱动芯片和驱动电路	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202110398681.1	2021-04-14	CN113301690B	2023-04-28	黄沛胜、师云鹏、郑义杰
34	沟槽型IGBT原胞结构制作方法和沟槽型IGBT原胞结构	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN202110382522.2	2021-04-09	CN113193039A	2021-07-30	张曌、李杰
35	晶体管终端结构及其制备方法	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN202110313802.8	2021-03-24	CN113193036A	2021-07-30	张曌、李杰
36	功率器件、用于功率器件制造的光掩膜板及集成电路	实用新型	授权	CN202120454112.X	2021-03-02	CN215118908U	2021-12-10	张曌、李杰
37	LED驱动模块	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202010344741.7	2020-04-27	CN111542148B	2021-12-28	蔡业信、杨正友、黄沛胜
38	LED驱动模块和LED发光电路	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202010327597.6	2020-04-23	CN111586923B	2022-07-08	李家红、蔡业信、杨正友、黄沛胜、李杰
39	LED驱动模块和LED发光电路	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202010328403.4	2020-04-23	CN111615234B	2022-09-20	李家红、蔡业信、杨正友、黄沛胜、李杰
40	开关集成控制器	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN201911166525.1	2019-11-25	CN111063723B	2021-12-28	李国延、张智
41	晶体管终端结构及其制造方法	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN201911140881.6	2019-11-20	CN111129108A	2020-05-08	张曌、李杰、魏国栋、田甜、刘玮
42	晶体管终端结构及其制造方法	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN201911042743.4	2019-10-30	CN110911475A	2020-03-24	张曌、李杰、魏国栋、刘玮、田甜
43	集成有增强型和耗尽型VDMOS的器件及其制造方法	发明专利	发明专利申请公布后的撤回、实质审查的生效、发明专利申请公布	CN201810387810.5	2018-04-26	CN108550623A	2018-09-18	魏国栋、康剑、张曌、田甜
44	集成有功率开关管的电源管理集成电路及电源管理装置	实用新型	授权	CN201820329682.4	2018-03-09	CN208112499U	2018-11-16	李家红、李杰
45	集成有功率开关管的电源管理集成电路及电源管理装置	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN201810196272.1	2018-03-09	CN108233686B	2024-08-06	李家红、李杰
46	测试台及其移动系统	实用新型	授权	CN201820128066.2	2018-01-25	CN207964887U	2018-10-12	余廷义
47	测试台及其固定装置	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN201711384899.1	2017-12-20	CN107942234A	2018-04-20	余廷义
48	测试台及其固定装置	实用新型	授权	CN201721801086.3	2017-12-20	CN207832957U	2018-09-07	余廷义
49	显微镜	实用新型	授权	CN201720460760.X	2017-04-27	CN206804988U	2017-12-26	余廷议
50	功率半导体器件及其制造方法	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN201710184014.7	2017-03-24	CN106952945A	2017-07-14	李学会

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