中欣晶圆申请晶体缺陷检测相关专利，热氧化处理实现硅片不可见缺陷间接检测
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2026-04-12 10:11:08
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4月12日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“检测晶体微小缺陷的方法”的专利。申请公布号为CN121830714A，申请号为CN202512046375.2，申请公布日期为2026年4月10日，申请日期为2025年12月31日，发明人何珍碧，专利代理机构杭州融方专利代理事务所（普通合伙），专利代理师沈相权，分类号G01N21/95、G01N1/44、G01N1/34。

专利摘要显示，本发明涉及一种检测晶体微小缺陷的方法，所属半导体材料制造与检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：原材料选取与预处理。第二步：升温阶段，将处理后的硅片放入热氧化炉中。第三步：高温氧化阶段，向炉内通入湿氧，在1100℃的高温下恒温保持2小时。第四步：降温阶段，氧化结束后，开始降温。第五步：对于存在缺陷的硅片，在界面压应力的作用下，缺陷部位容易发生应力集中，导致缺陷发生变形、增大或诱发新的位错滑移，从而在宏观上表现为表面颗粒大小和数量的增加。经过热氧化处理后，其尺寸增大且表面特征更加明显，使得技术人员能够通过普通的表面观测手段即可识别出硅片原有的晶体缺陷质量，实现了对不可见微观缺陷的间接检测。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本523559.0107万人民币，实缴资本503225.6776万人民币，注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息436条，拥有行政许可22个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1CMP设备的研磨液精准供给系统及其控制方法发明专利公布CN202610128880.32026-01-30CN121733440A2026-03-27刘肖
2改善最终外观目检台聚光灯消耗的结构及其降本增效方法发明专利公布CN202610066824.12026-01-19CN121782552A2026-04-03李林秀
3针对成品晶圆的包装盒可视检测系统及码放精度测量方法发明专利公布CN202610021292.X2026-01-08CN121829314A2026-04-10王伟东
4一种修整8英寸硅片抛光站陶瓷盘的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037297.X2025-12-31CN121696834A2026-03-20张森阳
5检测晶体微小缺陷的方法发明专利公布CN202512046375.22025-12-31CN121830714A2026-04-10何珍碧
6基于晶圆倒角机的缓冲吸附机械手系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512007568.72025-12-29CN121696852A2026-03-20杜书红
7一种检测亲水性硅片表面金属的ICP-MS进样装置及工艺发明专利公布CN202511965099.32025-12-24CN121805386A2026-04-07苏慧云、戴潮
8针对晶圆片盒内金属含量的防污染检测系统及快速检测方法发明专利公布CN202511941811.62025-12-22CN121678728A2026-03-17苏慧云、周桂丽、戴潮
9一种硅单晶粗片的轮廓参数检测系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511927715.62025-12-19CN121612895A2026-03-06周卫宏
10基于边缘区域在线监测与动态压力补偿的抛光方法发明专利公布CN202511886277.32025-12-15CN121552237A2026-02-24徐姜炜
11采用液相离子色谱仪分析硅片表面氯离子的前处理方法发明专利公布CN202511886281.X2025-12-15CN121805489A2026-04-07周桂丽、戴潮、代治立、周卫宏
12针对晶圆倒角的晶圆边缘加工系统及倒角工艺发明专利公布CN202511865282.62025-12-11CN121552186A2026-02-24黄炜霞
13一种片盒包装的装载、检查系统及安装方法发明专利公布CN202511846572.62025-12-09CN121553472A2026-02-24王斌
14硅片V型槽抛光中心矫正的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511816359.02025-12-04CN121572186A2026-02-27吴福壮
15预防供液管路结晶的冲洗装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773551.62025-11-28CN121403247A2026-01-27毛国领
16铬酸回收装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773554.X2025-11-28CN121700174A2026-03-20孙贵昌、方一栋
17降低EPI过程应力突变造成长膜畸变量的系统及工艺发明专利公布CN202511762935.82025-11-27CN121752000A2026-03-27李皓
18用于高电阻硅片的在线式光学干涉平坦度测量方法发明专利公布CN202511730214.92025-11-24CN121677620A2026-03-17雷凇
19APCVD背面污迹工艺的优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511730212.X2025-11-24CN121700360A2026-03-20吕进午
20基于化学机械协同与多步应力管理的半导体硅片减薄工艺发明专利公布CN202511681766.52025-11-17CN121670511A2026-03-17何航党、高洪涛
21外延后膜厚及滑移线的改善方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681767.X2025-11-17CN121712314A2026-03-20何珍碧
22基于12寸APCVD托盘的三次降温系统及积载清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681610.72025-11-17CN121700371A2026-03-20吕进午
23硅片少子寿命的RTP前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681768.42025-11-17CN121712321A2026-03-20罗国菁、李涛
24一种半导体双面研磨机纳米级复合研磨粉及研磨液发明专利公布CN202511658494.72025-11-13CN121780129A2026-04-03何航党、高洪涛
25基于调整LP成膜温度的CVD工艺优化晶圆翘曲的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511652781.72025-11-12CN121712262A2026-03-20刘文涛、王骞玮
26基于槽式清洗消除PIN印的硅片加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511652782.12025-11-12CN121712282A2026-03-20郭天天
27一种Ar炉氩气与氩氢混气工艺的切换设备及控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511626278.42025-11-07CN121700151A2026-03-20平铁卫
28改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511617289.62025-11-06CN121374420A2026-01-23姚胜平
29硅片小抛头的整组更换结构及其操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511617287.72025-11-06CN121424229A2026-01-30陈彬
30一种分析炉管清洗槽金属污染水平的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511581737.12025-10-31CN121298370A2026-01-09周桂丽、赵祥峰、戴潮、代治立、周卫宏
31一种使用平板氧化铝进行半导体级硅片磨片的研磨液及研磨方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511586194.22025-10-31CN121427493A2026-01-30高威
32一种基于硅烷-氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511586213.12025-10-31CN121428520A2026-01-30赵祥峰
33一种基于APCVD工艺的硅片倒角部位LTO层去除方法和系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511586203.82025-10-31CN121443043A2026-01-30高威
34流量校准的工具及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511577872.92025-10-31CN121521229A2026-02-13王方立
35检测设备相机的散热系统及其运行方法发明专利公布CN202511577875.22025-10-31CN121559800A2026-02-24李君
36基于红外线阵扫描的倒角机崩边实时检测装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511567859.52025-10-30CN121104823A2025-12-12杜书红
37一种提升硅片背面去蜡能力的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511563995.72025-10-30CN121487521A2026-02-06朱墨涵、王骞玮
38基于CMP工序用的研磨液添加系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511549473.12025-10-28CN121223690A2025-12-30杨石平
39一种用于单晶硅片的高效低损伤研磨液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511552895.42025-10-28CN121319792A2026-01-13黄炜霞
40用于消除LPCVD加工中硅片舟迹的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511529816.82025-10-24CN121575367A2026-02-27黄明洋、李鹏
41一种针对磨片定盘中沟槽研磨粉的柔性清洁系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511520729.62025-10-23CN121374419A2026-01-23苏鹏辉
42防止晶圆在高速旋转中裂片的气浮卡盘装置及其控制方法发明专利公布CN202511488822.32025-10-17CN121548270A2026-02-17方涛
43用于解离硅片的样条装置及其控制方法发明专利公布CN202511488820.42025-10-17CN121535855A2026-02-17王烨华
44基于自动化监控的单面抛光机台抛头寿命管理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407269.62025-09-29CN121290170A2026-01-09郭天天
45一种基于差异化修整抛光布工艺优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407270.92025-09-29CN121374293A2026-01-23姚胜平
46改善LTO膜外观良率的集预处理洗净和存储一体的可靠性工艺发明专利公布CN202511410897.X2025-09-29CN121568529A2026-02-24刘文涛
47硅片在减薄时产品背面污迹的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511399762.82025-09-28CN121310868A2026-01-09方一栋、缪燃、唐鸿钦
48改善硅片局部平坦度的抛光工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511398863.32025-09-28CN121468288A2026-02-06李赛武
49硅片研磨设备的定盘清洁与维护方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511344562.22025-09-19CN121156902A2025-12-19王小明
50SRP过度区宽度的计算方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511344565.62025-09-19CN121463785A2026-02-03吴瑶

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