3月7日消息，国家知识产权局信息显示，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法”的专利，授权公告号CN114566542B，授权公告日为2026年3月6日。申请公布号为CN114566542A，申请号为CN202210195669.5，申请公布日期为2026年3月6日，申请日期为2022年3月1日，发明人姜怡雯、宋金星，专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司，专利代理师郭凤杰，分类号H10D64/27、H10D30/01、H10D62/10。

专利摘要显示，本申请涉及一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法，其中，屏蔽栅沟槽型场效应晶体管包括：提供基底，并于基底内形成初始沟槽；于初始沟槽的侧壁形成第一牺牲保护层；对基底继续进行刻蚀，以于初始沟槽底部形成第一沟槽；于第一沟槽的槽壁表面形成屏蔽栅介质层；去除第一牺牲保护层，且对基底继续进行刻蚀，以将初始沟槽扩展而形成第二沟槽；形成屏蔽栅极、隔离结构、控制栅介质层以及控制栅极，屏蔽栅极形成于第一沟槽内，控制栅极形成于第二沟槽内，隔离结构形成于屏蔽栅极与控制栅极之间，控制栅介质层形成于控制栅极与第二沟槽的侧壁之间。本申请可以在进行良好的多晶硅填充的同时，有效保证屏蔽栅极的屏蔽功能。

天眼查数据显示，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司成立日期2018年3月9日，法定代表人赵奇，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本838268.7172万人民币，实缴资本705908.7013万人民币，注册地址为浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号。绍兴中芯集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1725次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息803条，拥有行政许可43个。

绍兴中芯集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下：

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