中微公司取得半导体刻蚀法相关专利，刻蚀法以硬化层保护图形层，提高刻蚀选择比
1月14日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“形成半导体器件结构的刻蚀方法及半导体器件结构”的专利，授权公告号CN114695086B，授权公告日为2026年1月13日。申请公布号为CN114695086A，申请号为CN202011578788.6，申请公布日期为2026年1月13日，申请日期为2020年12月28日，发明人王乔慈、赵军、王晓雯，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾慧琴、包姝晴，分类号H10P76/20、H10P50/28、H10P50/24。
专利摘要显示，本发明公开了一种形成半导体器件结构的刻蚀方法及半导体器件结构，包括：提供一基底，基底上设有待刻蚀层，待刻蚀层上设有图案化后的图形层，待刻蚀层的厚度与图形层的厚度比大于5；向图形层的表面通入第一气体，所述第一气体包括：H2和CHyFz，0≤y≤3，0 天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期2004年5月31日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本62614.5307万人民币，实缴资本62236.3735万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目75次，财产线索方面有商标信息106条，专利信息1633条，拥有行政许可77个。 中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下： 风险提示：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI大模型基于第三方财汇数据库自动发布，任何在本文出现的信息（包括但不限于个股、评论、预测、图表、指标、理论、任何形式的表述等）均只作为参考，不构成个人投资建议。受限于第三方数据库质量等问题，我们无法对数据的真实性及完整性进行分辨或核验，因此本文内容可能出现不准确、不完整、误导性的内容或信息，具体以公司公告为准。如有疑问，请联系biz@staff.sina.com.cn。序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人 1 一种工艺顶盖及气相沉积设备 实用新型 授权 CN202521979639.9 2025-09-15 CN223458392U 2025-10-21 刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平 2 反应腔、高深宽比结构及其形成方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510550377.2 2025-04-28 CN120072612B 2025-07-25 尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强 3 基片托盘 外观专利 授权 CN202530230568.1 2025-04-25 CN309730273S 2026-01-09 陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开 4 基片托盘 外观专利 授权 CN202530230569.6 2025-04-25 CN309730274S 2026-01-09 陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开 5 一种气相沉积设备及半导体处理系统 发明专利 公布 CN202510444720.5 2025-04-09 CN120830094A 2025-10-24 尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅 6 一种环组件及成膜装置 实用新型 授权 CN202520251908.3 2025-02-17 CN223780392U 2026-01-09 郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟 7 一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510165658.6 2025-02-14 CN119673741B 2025-05-30 叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟 8 一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510165658.6 2025-02-14 CN119673741B 2025-05-30 叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟 9 一种半导体加工设备及其控制方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510147729.X 2025-02-10 CN119601451B 2025-05-09 李博睿、卢明、倪图强 10 一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体处理设备 实用新型 授权 CN202520210442.2 2025-02-10 CN222637222U 2025-03-18 卢明、李博睿、倪图强 11 一种半导体加工设备及其控制方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510147729.X 2025-02-10 CN119601451B 2025-05-09 李博睿、卢明、倪图强 12 一种化学气相沉积装置 实用新型 授权 CN202520172387.2 2025-01-24 CN223780352U 2026-01-09 杜冰洁、路今、姜银鑫 13 一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510098695.X 2025-01-21 CN119517722B 2025-05-13 田宁、叶如彬 14 一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510098695.X 2025-01-21 CN119517722B 2025-05-13 田宁、叶如彬 15 一种隔离结构及化学气相沉积装置 实用新型 授权 CN202520123428.9 2025-01-17 CN223780362U 2026-01-09 黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开 16 一种化学气相沉积装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510073813.1 2025-01-16 CN119932527A 2025-05-06 张辉、姜银鑫、姜勇 17 缓冲装置 实用新型 授权 CN202520107111.6 2025-01-16 CN223780359U 2026-01-09 杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何伟业 18 一种化学气相沉积装置 实用新型 授权 CN202520086318.X 2025-01-14 CN223780351U 2026-01-09 陆顺开、周子琛、张辉 19 一种气体流量控制阀、气体输送装置及气体供应方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411976013.2 2024-12-31 CN119374033A 2025-01-28 徐志鹏、倪图强、连增迪 20 化学气相沉积设备 实用新型 授权 CN202423319091.3 2024-12-31 CN223780363U 2026-01-09 朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远 21 一种射频发生器、半导体处理设备及使用方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202411969617.4 2024-12-30 CN119382671B 2025-09-12 徐志鹏、常健、王亚军 22 一种用于气柜可燃性测试的系统及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411980652.6 2024-12-30 CN119375415A 2025-01-28 王治平、宋飘、宋常征、权汉钊 23 一种射频发生器、半导体处理设备及使用方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202411969617.4 2024-12-30 CN119382671B 2025-09-12 徐志鹏、常健、王亚军 24 一种半导体工艺平台 实用新型 授权 CN202423296470.5 2024-12-30 CN223660196U 2025-12-12 陶珩、何伟业、许灿、王能语、杨闰清、吴红星、廖腊财、桑成松、刘学滨、陈冬、刘青、刘雯伊 25 一种半导体处理设备及其固态前驱体输送系统和输送方法 发明专利 授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布 CN202411947571.6 2024-12-26 CN119372628B 2025-03-18 庄宇峰、朱泉松、李远、孙家鑫 26 一种用于半导体处理设备的气体输送装置和气体通路模块 实用新型 授权 CN202423230256.X 2024-12-25 CN223524974U 2025-11-07 姜学斌、彭建录、梁冬冬、周楚秦、张嘉赫 27 晶圆托盘 外观专利 授权 CN202430820667.0 2024-12-24 CN309541504S 2025-10-14 汪国元、代宇通、姜勇 28 晶圆托盘 外观专利 授权 CN202430817296.0 2024-12-23 CN309541503S 2025-10-14 汪国元、代宇通、姜勇 29 一种沉积金属氮化物的方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411897577.7 2024-12-20 CN120193249A 2025-06-24 沈成绪、许灿、高烨、陈宇畅、刘鹏杰、杨闰清 30 气体喷淋头、喷淋头组件以及化学气相沉积装置 实用新型 授权 CN202423152151.7 2024-12-19 CN223780356U 2026-01-09 陈佳波、徐立、吴红星、吕术亮、李雪子 31 等离子体处理设备 实用新型 授权 CN202423135658.1 2024-12-18 CN223665407U 2025-12-12 王许、朱永成、李琳、王智昊 32 机械臂及半导体设备零件的洁净度原位检测系统 实用新型 授权 CN202423135638.4 2024-12-18 CN223657031U 2025-12-12 孙祥、刘若晨 33 一种半导体处理设备及其多区加热板和多区温控驱动方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411825844.X 2024-12-11 CN119835809A 2025-04-15 张辉、姜银鑫、杜冰洁 34 一种气路加热模组 实用新型 授权 CN202422993593.8 2024-12-04 CN223528230U 2025-11-07 毛绪光、吴红星、李远 35 一种真空平台 实用新型 授权 CN202422993652.1 2024-12-04 CN223535207U 2025-11-11 刘雯伊、王能语、刘学滨 36 锁扣组件和反应腔 实用新型 授权 CN202422980570.3 2024-12-03 CN223535206U 2025-11-11 黄稳、姜勇 37 流量校准仪 外观专利 授权 CN202430745159.0 2024-11-25 CN309427817S 2025-08-08 段国安、连增迪、钟水苗、徐扬、倪图强 38 等离子体处理装置 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202411668534.1 2024-11-20 CN119170474B 2025-02-14 张一川、田宁、叶如彬 39 下电极组件及等离子体处理设备 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202411660380.1 2024-11-19 CN119170554B 2025-07-08 田宁、叶如彬 40 下电极组件及等离子体处理设备 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202411660380.1 2024-11-19 CN119170554B 2025-07-08 田宁、叶如彬 41 半导体处理设备及其直流电压信号控制系统 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202411629639.6 2024-11-14 CN119182310B 2025-09-16 倪图强、卢明、李博睿 42 半导体处理设备及其直流电压信号控制系统 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202411629639.6 2024-11-14 CN119182310B 2025-09-16 倪图强、卢明、李博睿 43 一种集成式匹配器系统及半导体处理装置 实用新型 授权 CN202422709197.8 2024-11-06 CN223527122U 2025-11-07 范宏宇、李宝琛 44 防止下电极组件发生电弧放电的方法及等离子体处理设备 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202411561997.8 2024-11-04 CN119069332B 2025-03-04 田宁、叶如彬、刘志强 45 气体分配盒及气相沉积设备 实用新型 授权 CN202422687373.2 2024-11-04 CN223433539U 2025-10-14 张海龙、胡玲钢、莱纳德·刘、王璐瑛 46 一种清洁半导体零部件的装置及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411474501.3 2024-10-21 CN119426243A 2025-02-14 梁重时、丛海、朱俊麒 47 一种紧固结构、上接地环组件及等离子体处理设备 实用新型 授权 CN202422473121.X 2024-10-12 CN223203405U 2025-08-08 涂传文、苏宜龙、吴标胜 48 一种磁力组件及磁控溅射设备 实用新型 授权 CN202422453102.0 2024-10-10 CN223316769U 2025-09-09 张旭彤、吴狄、连增迪、李兆晟 49 一种气体传输系统及半导体处理设备 实用新型 授权 CN202422453455.0 2024-10-10 CN223318903U 2025-09-09 王恒阳、连增迪 50 一种气体验证装置及半导体处理设备 实用新型 授权 CN202422446632.2 2024-10-09 CN223204990U 2025-08-08 段国安、连增迪、倪图强、徐扬、钟水苗