晶合集成取得通孔缺陷检测相关专利,结合图形密度与转接长度比例检测通孔缺陷
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2025-12-30 22:16:03
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12月30日消息,国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“通孔缺陷的检测方法”的专利,授权公告号CN120931653B,授权公告日为2025年12月30日。申请公布号为CN120931653A,申请号为CN202511461587.0,申请公布日期为2025年12月30日,申请日期为2025年10月14日,发明人王晓娟、陈东、刘筱彧、曹璋钰、韩领,专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司,专利代理师傅梦婷,分类号G06T7/00、G06T7/60、G06F30/392、G06F30/398。

专利摘要显示,本申请提供了一种通孔缺陷的检测方法,属于半导体技术领域。该检测方法首先获取待分析版图中每个通孔图形周围的上层导电图形的第一图形密度和下层导电图形的第二图形密度,在通孔图形对应的第一图形密度或第二图形密度超出预定范围时,再获取通孔图形的转接长度比例,根据通孔图形的转接长度比例判断通孔图形是否为疑似缺陷通孔图形。本申请结合通孔图形周围的图形密度以及通孔图形在转接前的上层导电图形与转接后的下层导电层的转接长度比例检测通孔缺陷,能够快速且准确地定位待分析版图中易产生缺陷的通孔图形,节约后续缺陷分析的时间,有利于及时优化工艺或者版图改版,提升产品良率和稳定性。

晶合集成成立于2015年5月19日,于2023年5月5日在上海证券交易所上市,注册地址位于安徽省合肥市,办公地址位于安徽省合肥市和中国香港。该公司是国内知名的12英寸晶圆代工企业,具备先进工艺研发及应用能力。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务,致力于研发并应用行业先进工艺,为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,属于半导体、集成电路、芯片概念板块。

2025年三季度,晶合集成实现营业收入81.3亿元,在行业7家公司中排名第3,而第一名中芯国际为495.1亿元,第二名华虹公司为125.83亿元,行业平均数为121.23亿元,中位数为80.69亿元。净利润方面,当期为3.95亿元,行业排名第4,第一名中芯国际达57.7亿元,第二名赛微电子为15.14亿元,行业平均数为8.25亿元,中位数为3.95亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1电容器结构以及电容器结构的制造方法发明专利公布CN202511794295.92025-12-02CN121240471A2025-12-30井口学、牟田哲也
2背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202511797762.32025-12-02CN121240571A2025-12-30陈维邦
3背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202511797693.62025-12-02CN121240570A2025-12-30陈维邦
4图形化方法及光刻胶结构发明专利公布CN202511784424.62025-12-01CN121237637A2025-12-30赵志豪、李海峰、沈俊明
5用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202511746998.42025-11-26CN121218668A2025-12-26方延、张新、郭廷晃
6半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202511727063.12025-11-24CN121192052A2025-12-23王文智
7半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202511727064.62025-11-24CN121192053A2025-12-23王文智
8一种浅沟槽隔离结构及其制备方法发明专利公布CN202511727118.92025-11-24CN121192054A2025-12-23王文智
9用于对晶圆进行失焦补偿的方法、半导体器件及相关产品发明专利公布CN202511715014.62025-11-21CN121187086A2025-12-23赵志豪、李海峰、沈俊明、古哲安
10半导体结构及其制备方法、高压MOS器件发明专利公布CN202511714324.62025-11-21CN121194489A2025-12-23马翼蕤、蒯照、王少奇
11背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202511706458.32025-11-20CN121152344A2025-12-16陈维邦
12用于半导体结构的测试方法及测试装置发明专利公布CN202511712552.X2025-11-20CN121142286A2025-12-16田志锋
13嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备发明专利公布CN202511704709.42025-11-20CN121171973A2025-12-19梁栋栋、张安、张盖、陈有德、张得亮
14一种光刻胶涂布方法发明专利公布CN202511705451.X2025-11-20CN121165399A2025-12-19张仁伟、张祥平
15一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202511699262.62025-11-19CN121152289A2025-12-16杨少华、杨昱霖、沈娅、蔡马龙
16接触孔的清洗方法及清洗装置发明专利公布CN202511695222.42025-11-19CN121171880A2025-12-19许雨芩、杨昱霖
17接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法发明专利公布CN202511695815.02025-11-19CN121171982A2025-12-19朱海龙、罗承先
18半导体结构的制备方法发明专利公布CN202511689963.12025-11-18CN121152288A2025-12-16张璐、朱鹏飞、高倩倩、邱爽、游奕廷
19背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202511689280.62025-11-18CN121152343A2025-12-16陈维邦
20SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法发明专利公布CN202511676037.02025-11-17CN121126770A2025-12-12王文智、刘飞飞
21SRAM存储单元、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利公布CN202511676034.72025-11-17CN121126769A2025-12-12王文智、刘飞飞
22一种校正光罩布局的方法发明专利公布CN202511676880.92025-11-17CN121142889A2025-12-16赵志豪、李海峰、沈俊明、古哲安
23半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202511676224.92025-11-17CN121148992A2025-12-16赵志豪、李海峰、沈俊明
24半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202511666098.92025-11-14CN121126858A2025-12-12刘苏涛
25晶圆曝光系统及其补偿方法发明专利公布CN202511666454.72025-11-14CN121115428A2025-12-12李海峰、张祥平、赵志豪
26半导体结构及半导体结构的制造方法发明专利公布CN202511666676.92025-11-14CN121123118A2025-12-12刘然、郑威、徐华超
27芯片失效类型的测试方法及测试电路发明专利公布CN202511673091.X2025-11-14CN121114737A2025-12-12郝永豪、储浩、张翼、孔祥炜、钟敏
28光刻胶的去除方法和去除装置以及光刻工艺的返工方法发明专利公布CN202511666449.62025-11-14CN121142926A2025-12-16赵志豪、李海峰、沈俊明、古哲安
29半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511649809.12025-11-12CN121099689A2025-12-09朱海龙
30半导体结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511649237.72025-11-12CN121099688A2025-12-09运广涛、阮钢、苏圣哲、罗钦贤
31半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511652165.12025-11-12CN121099701A2025-12-09刘凯、王维安
32半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法发明专利公布CN202511648328.92025-11-12CN121123011A2025-12-12刘苏涛、肖迪
33曝光辅助图形的确定方法、装置和计算机设备发明专利公布CN202511649076.12025-11-12CN121115427A2025-12-12刘秀梅、罗招龙
34构建三维损伤程度模型的方法、损伤程度评价方法及系统发明专利公布CN202511639568.22025-11-11CN121123052A2025-12-12王冉、林东亿、林祐丞、杨智强、遇鑫遥
35背照式图像传感器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511635667.32025-11-10CN121099744A2025-12-09方晓宇、杨昱霖、郭育清、李万宝、郭宜婷
36背照式图像传感器的制造方法和背照式图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202511635099.72025-11-10CN121099733A2025-12-09金文祥、陈义元、吴凯、郇小伟
37半导体结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511632267.72025-11-10CN121099680A2025-12-09廖学海、明玉坤、邹鹏
38晶圆键合方法及晶圆键合结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511633045.72025-11-10CN121096855A2025-12-09张燚
39半导体结构、半导体结构的制造方法及显示器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511634358.42025-11-10CN121099847A2025-12-09谢荣源、马丽、陈信全、林滔天、葛成海
40掩膜图案的处理方法、掩膜图案的处理系统和掩膜发明专利实质审查的生效、公布CN202511632778.92025-11-10CN121091594A2025-12-09殷诗淇、罗招龙、王康
41半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202511632272.82025-11-10CN121126856A2025-12-12李文超、林子荏、张旭、袁晓梅
42半导体结构制备方法及半导体结构发明专利公布CN202511632353.82025-11-10CN121126843A2025-12-12潘海燕、明玉坤、廖学海、遇鑫遥
43半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511625543.72025-11-07CN121099693A2025-12-09朱会超、刘文彬、蔡富吉
44半导体器件及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511621739.92025-11-07CN121099687A2025-12-09叶家顺、曹飞
45图像传感器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511628584.12025-11-07CN121099732A2025-12-09叶家顺、崔立加、王冉、余义祥
46芯片电池及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511612900.62025-11-06CN121057285A2025-12-02周成
47改善翘曲晶圆CDU的方法、曝光方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511613303.52025-11-06CN121091615A2025-12-09马文斌、张祥平
48磊晶缺陷的分析方法及分析系统、可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511597831.62025-11-04CN121053139A2025-12-02张利强、林今焕、李建政
49多晶圆堆叠结构的处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511599123.62025-11-04CN121054478A2025-12-02周宇芬、郝小强、郑悦
50一种半导体器件的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511596104.82025-11-04CN121057325A2025-12-02饶续、宋明明、曹玉娟、马忠祥

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