东芯股份取得操作逻辑电路相关专利,锁存并行数据,规避写后采样时间短数据丢失风险
创始人
2025-12-30 21:16:43
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12月30日消息,国家知识产权局信息显示,东芯半导体股份有限公司申请一项名为“写操作时序逻辑电路及存储器”的专利,授权公告号CN119864058B,授权公告日为2025年12月30日。申请公布号为CN119864058A,申请号为CN202411937502.7,申请公布日期为2025年12月30日,申请日期为2024年12月26日,发明人宋东蔚,专利代理机构上海专利商标事务所有限公司,专利代理师宋俊寅、张鑫,分类号G11C7/10、G11C7/22、G11C7/24。

专利摘要显示,本发明提供一种写操作时序逻辑电路,通过根据写操作指令、系统时钟和数据采样脉冲,鉴别出数据采样脉冲的最后一个有效的下降沿,并且在该下降沿采样完数据后控制电路自锁以将来自并行数据生成模块的多位并行的数据锁存住,直到下一次写操作指令到来才会释放,从而可以完全规避写入后采样信号(Write Postamble)持续的时间(twpst)过小导致的数据丢失风险。

东芯股份成立于2014年11月26日,于2021年12月10日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均位于上海。它是国内领先的存储芯片设计企业,专注中小容量通用型存储芯片,具备技术与产品多元化优势。

东芯股份主营业务聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,所属申万行业为电子-半导体-数字芯片设计,属于GPU、汽车芯片、智能穿戴等概念板块。

2025年三季度,东芯股份实现营业收入5.73亿元,在51家行业公司中排名第38,远低于第一名豪威集团的217.83亿元与第二名江波龙的167.34亿元,不及行业平均的27.87亿元和中位数11.41亿元。当期净利润为 -1.65亿元,行业排名46,第一名豪威集团达到31.99亿元,第二名海光信息为28.41亿元,也低于行业平均的3.08亿元和中位数7294.09万元。

东芯半导体股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种用于非易失性存储器的写入功耗降低的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411981682.92024-12-31CN119905128A2025-04-29曹健睿、陈慧、陈纬荣
2上电检测电路及上电检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411962901.92024-12-30CN119811459A2025-04-11胡嘉伦
3反熔丝存储阵列以及反熔丝存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202411950954.92024-12-27CN119889403A2025-04-25任雪
4写操作时序逻辑电路及存储器发明专利授权CN202411937502.72024-12-26CN119864058B2025-12-30宋东蔚
5ZQ校准模块及存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202411799189.52024-12-09CN119724303A2025-03-28俞惠、刘亮
6温度传感器电路以及DDR3半导体存储芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202411791946.42024-12-06CN119595133A2025-03-11蒋徐前
7LDO电路发明专利实质审查的生效、公布CN202411726655.72024-11-28CN119597082A2025-03-11田铂城、沈凯斌
8AB类运算放大器发明专利实质审查的生效、公布CN202411722573.52024-11-28CN119649866A2025-03-18田铂城
9反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202411671481.92024-11-21CN119601064A2025-03-11任雪、俞惠
10延时电路版图及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411571204.02024-11-06CN119623395A2025-03-14沈凯斌
11DDR时钟同步系统和具备该系统的DDR内存芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202411269993.22024-09-11CN119226198A2024-12-31刘浩杰、刘亮、沈凯斌、聂明漩
12片内终结电路模块及该片内终结电路模块的数据保持方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411143918.12024-08-20CN119132359A2024-12-13陆秋实、刘亮、李解
13锁相环延迟时间调整装置、方法及时钟同步系统发明专利公布CN202411005156.92024-07-25CN118824312A2024-10-22刘浩杰、聂明漩
14提高NORFLASH配置模块数据准确率的方法、装置、存储介质及存储设备发明专利实质审查的生效、公布CN202410214635.52024-02-27CN118098309A2024-05-28王潇潇
15半导体存储器及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410169256.92024-02-06CN118019333A2024-05-10郑明勋
16一次可编程存储器、读写方法以及DRAM存储设备发明专利实质审查的生效、公布CN202311767256.02023-12-20CN117746961A2024-03-22胡杰
17NAND闪存单元及NAND闪存单元的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311696506.62023-12-11CN117641922A2024-03-01周震、金镇湖
18非易失性存储器及其编程方法、计算机系统发明专利实质审查的生效、公布CN202311533307.32023-11-16CN117558322A2024-02-13冯鹏亮
19存储器装置及其数据操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311439982.X2023-10-31CN117435140A2024-01-23胡杰
20电流镜组的共质心布局及其布局方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311169463.62023-09-11CN117217157A2023-12-12肖陈贵、唐力、赖荣钦、郑龙权、胡杰
21NOR闪存存储器的刷新方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202310800165.62023-06-30CN116779001A2023-09-19孙天宇
22半导体器件的金属层布局方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310573621.82023-05-19CN116583108A2023-08-11唐力
23循环冗余校验电路及DDR存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202310424643.82023-04-19CN116453578A2023-07-18赖荣钦
24写入均衡检测器、写入均衡检测电路及存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202310231864.32023-03-10CN116524972A2023-08-01郑龙权
25NAND闪存及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211729243.X2022-12-30CN115988881A2023-04-18金镇湖
26NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202211708522.82022-12-29CN115831203A2023-03-21沈嘉怡
27非易失性存储器及其数据读取方法、计算机系统发明专利实质审查的生效、公布CN202211503529.62022-11-28CN115841838A2023-03-24王潇潇
28非易失性存储器的编程方法以及存储装置发明专利实质审查的生效、公布CN202211280334.X2022-10-19CN115602232A2023-01-13冯鹏亮
29非易失性存储器及其擦除方法、计算机系统发明专利实质审查的生效、公布CN202211123715.72022-09-15CN115440284A2022-12-06陈慧
30用于过擦除修复的方法和存储装置发明专利授权、公布CN202210961804.22022-08-11CN115295056B2025-05-13陈纬荣
31间隔振荡器及其控制方法、以及具备该间隔振荡器的存储器发明专利授权CN202210949585.62022-08-09CN115295034B2025-09-30赖荣钦
32振荡周期匹配装置、方法、存储器及计算机可读取介质发明专利授权CN202210871210.22022-07-22CN115118256B2025-11-14赖荣钦
33一种占空比调节器发明专利实质审查的生效、公布CN202210849664.X2022-07-19CN115116505A2022-09-27赖荣钦
34一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849957.82022-07-19CN115116506B2025-08-15赖荣钦
35一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849584.42022-07-19CN115132243B2025-08-19赖荣钦
36一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849633.42022-07-19CN115001454B2025-08-26赖荣钦
37存储器及其去耦方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210767899.42022-06-30CN115064194A2022-09-16赖荣钦
38存储器及其去耦方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210768197.82022-06-30CN115064195A2022-09-16赖荣钦
39具有校准功能的存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202210767408.62022-06-30CN115064193A2022-09-16赖荣钦
40存储器发明专利授权、公布CN202210714079.92022-06-22CN115188407B2025-09-09赖荣钦
41时序转换装置、方法、写入均衡系统及计算机可读取介质发明专利实质审查的生效、公布CN202210699757.92022-06-20CN115021725B2025-06-27赖荣钦
42时序转换装置、方法、写入均衡系统及计算机可读取介质发明专利授权、公布CN202210699757.92022-06-20CN115021725B2025-06-27赖荣钦
43CAM单元检查模块及其检查方法发明专利授权、公布CN202210288757.X2022-03-23CN114649049B2025-08-29方斗敬
44用于输入缓冲器的偏移消除校准电路的自对准控制电路发明专利实质审查的生效、公布CN202210277707.12022-03-21CN114613402A2022-06-10赖荣钦
45非易失性存储器装置及其操作方法发明专利授权CN202210222692.92022-03-09CN114613410B2025-11-21林钟观
46半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202210207403.82022-03-04CN114582832B2025-07-29苏万锡、李海旭
47半导体器件发明专利授权、公布CN202210207403.82022-03-04CN114582832B2025-07-29苏万锡、李海旭
48非易失性存储器及其编程方法、计算机系统发明专利授权、公布CN202210185454.52022-02-28CN114582402B2025-08-29金龙云
49一种上电复位电路发明专利授权、公布CN202210121476.52022-02-09CN114448404B2024-11-26朱家骅、何勇翔
50具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法发明专利授权、公布CN202210113278.42022-01-30CN114446965B2025-08-12金镇湖

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