8月29日消息,国家知识产权局信息显示,江苏微导纳米科技股份有限公司申请一项名为“一种排气装置、反应腔和半导体镀膜设备”的专利,授权公告号CN117721445B,授权公告日为2026年8月25日。申请公布号为CN117721445A,申请号为CN202311749418.8,申请公布日期为2026年8月25日,申请日期为2023年12月18日,发明人安超、荒见淳一、柴智、侯彬,专利代理机构北京市盈科律师事务所,专利代理师张晶,分类号C23C16/455、C23C16/46、H01J37/32。
专利摘要显示,本发明提供了一种用于反应腔的排气装置、一种用于半导体镀膜设备的反应腔,以及一种半导体镀膜设备。用于反应腔的排气装置包括抽气件、抽气通道和排气通道,抽气件为射频类的不良导体,抽气件的内侧与反应腔的本体形成容纳气体的抽气空间,抽气件的内侧表面被金属膜层覆盖以用于消除寄生电荷。本发明提供的一种用于反应腔的排气装置、一种用于半导体镀膜设备的反应腔,以及一种半导体镀膜设备能够使改善排气装置的成本十分低廉,并且能够降低异常放电的风险,消除空腔表面所堆积的寄生电荷,从而提高薄膜的颗粒度表现。
微导纳米是国内原子层沉积(ALD)设备领域领军企业,专注先进薄膜沉积装备研发,具备全产业链技术壁垒。公司成立于2015年12月25日,2022年12月23日登陆上海证券交易所,注册及办公地点均位于江苏省无锡市。
公司以ALD技术为核心,聚焦先进微、纳米级薄膜沉积技术和设备的研究与产业化应用,为光伏、集成电路、柔性电子等半导体与泛半导体行业提供高端装备与技术解决方案,所属申万行业为电力设备-光伏设备-光伏加工设备,覆盖年度强势、先进封装、存储概念等概念板块。
2026年上半年,微导纳米实现营业收入11.89亿元,在12家同行业可比公司中排名第8,低于行业平均数18.39亿元与行业中位数18.85亿元,同期行业营收前两位分别为晶盛机电34.52亿元、迈为股份29.09亿元;当期实现净利润1.02亿元,行业排名第7,低于行业平均数1.15亿元与行业中位数1.43亿元,同期行业净利润前两位分别为捷佳伟创3.75亿元、拉普拉斯3.18亿元。从主营业务构成来看,半导体设备贡献营收6.29亿元,占比53.11%;光伏设备贡献营收3.82亿元,占比32.27%;配套产品及服务贡献营收1.45亿元,占比12.27%;其他业务贡献营收2778.76万元,占比2.35%。
| 业务板块 | 营收金额 | 营收占比 |
|---|---|---|
| 半导体设备 | 6.29亿元 | 53.11% |
| 光伏设备 | 3.82亿元 | 32.27% |
| 配套产品及服务 | 1.45亿元 | 12.27% |
| 其他 | 2778.76万元 | 2.35% |
江苏微导纳米科技股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 工艺腔室、薄膜沉积设备和零部件接触状态监测方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611000457.1 | 2026-07-06 | CN122522222A | 2026-08-07 | 周瑞、王新征、周芸福 |
| 2 | 反应腔内累计膜厚的检测方法、检测系统和薄膜沉积设备 | 发明专利 | 公布 | CN202610966989.4 | 2026-06-30 | CN122650884A | 2026-08-28 | 高力、张子涵、徐峰 |
| 3 | 一种等离子体沉积设备及其控制方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610936778.6 | 2026-06-25 | CN122484721A | 2026-07-31 | 陆亦诚 |
| 4 | 气体引导装置及半导体设备 | 发明专利 | 公布 | CN202610890054.2 | 2026-06-18 | CN122648907A | 2026-08-28 | 郑子文、吴围、李荣生、陆亦诚、赵光辉 |
| 5 | 反应腔室、薄膜沉积设备及组装方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610766283.3 | 2026-05-29 | CN122514200A | 2026-08-04 | 柴智、李新、史笑 |
| 6 | 衬套及沉积系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610652436.1 | 2026-05-12 | CN122358169A | 2026-07-10 | 王宗林、周芸福、赵婷婷、陈刚、王国超 |
| 7 | 工艺腔室及沉积设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610652469.6 | 2026-05-12 | CN122358158A | 2026-07-10 | 程堂杰、吴晗 |
| 8 | 一种成膜设备、成膜设备的进气装置及成膜设备的喷淋板 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610492020.8 | 2026-04-15 | CN122013155A | 2026-05-12 | 杨世蒙、宋广华、尤宇文 |
| 9 | 喷淋板、处理设备和喷淋板孔型调整方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610491865.5 | 2026-04-14 | CN122382537A | 2026-07-14 | 侯彬、荒见淳一、沈寒旸 |
| 10 | 一种升降针的检测方法及相关装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610458284.1 | 2026-04-08 | CN122358148A | 2026-07-10 | 柴智、李新 |
| 11 | 靶材结构和磁控溅射设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610443065.6 | 2026-04-03 | CN122214800A | 2026-06-16 | 白展逢、籍伟杰、张鹤、汤亚东、黎微明 |
| 12 | 混气机构、反应装置以及半导体薄膜沉积设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610442872.6 | 2026-04-03 | CN122235689A | 2026-06-19 | 李新、柴智、赵婷婷、李振、张义明 |
| 13 | 溅射设备和溅射方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610443120.1 | 2026-04-03 | CN122303811A | 2026-06-30 | 张鹤、邓晚、白展逢、籍伟杰、汤亚东、黎微明 |
| 14 | 混气机构、反应装置以及半导体薄膜沉积设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610442880.0 | 2026-04-03 | CN122327187A | 2026-07-03 | 柴智、李新、赵婷婷、李振、张义明 |
| 15 | 靶材结构及其磁控溅射方法和磁控溅射设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610442296.5 | 2026-04-03 | CN122358132A | 2026-07-10 | 白展逢、籍伟杰、张鹤、任壮 |
| 16 | 阻隔膜及其制备方法和光电器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610443085.3 | 2026-04-03 | CN122520960A | 2026-08-07 | 符奎、申博文、黎微明、袁红霞、姚俊 |
| 17 | 混气机构、反应装置以及半导体薄膜沉积设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610443134.3 | 2026-04-03 | CN122516870A | 2026-08-07 | 柴智、李新、赵婷婷、李振、张义明 |
| 18 | 混气装置、反应装置以及半导体薄膜沉积设备 | 发明专利 | 公布 | CN202610442930.5 | 2026-04-03 | CN122543011A | 2026-08-11 | 柴智、李新、赵婷婷、李振、张义明 |
| 19 | 功能层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610426169.6 | 2026-04-02 | CN121968868B | 2026-06-16 | 隋玉洁、王娟、姚俊、闻佳、袁红霞、李翔 |
| 20 | 用于钙钛矿太阳能电池的电子传输层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610435571.0 | 2026-04-02 | CN122458595A | 2026-07-24 | 闻佳、黎微明、隋玉洁、袁红霞、李翔 |
| 21 | 一种激光加工系统以及激光指向性偏移的补偿方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610377175.7 | 2026-03-25 | CN122125355A | 2026-06-02 | 朱涵 |
| 22 | 一种片材缺陷检测系统及方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610377183.1 | 2026-03-25 | CN122341174A | 2026-07-03 | 韩明新、陈哲、隋浩然、李登辉 |
| 23 | 温度调节装置以及镀膜设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610321903.2 | 2026-03-16 | CN122235698A | 2026-06-19 | 安超、荒见淳一 |
| 24 | 温度调节装置以及镀膜设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610321907.0 | 2026-03-16 | CN122235699A | 2026-06-19 | 安超、荒见淳一 |
| 25 | 进气装置和反应设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610312792.9 | 2026-03-12 | CN122105370A | 2026-05-29 | 柴智、赵学 |
| 26 | 基片及其制备方法和半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610300638.X | 2026-03-12 | CN122318743A | 2026-06-30 | 赵光辉、马洪宝 |
| 27 | 顶针结构、加热盘及薄膜沉积设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610312763.2 | 2026-03-12 | CN122318810A | 2026-06-30 | 柴智 |
| 28 | 晶圆异常的检测方法及半导体设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610312664.4 | 2026-03-12 | CN122421154A | 2026-07-17 | 林英浩 |
| 29 | 一种基片上下料机构、基片上下料方法、装置和介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610255303.0 | 2026-03-03 | CN122121607A | 2026-05-29 | 严大、汤宋波 |
| 30 | 一种硅片取放机构及导片系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610214766.2 | 2026-02-13 | CN122028688A | 2026-05-12 | 杨世蒙、李海生、宋广华 |
| 31 | 用于半导体薄膜处理设备的配气组件和半导体薄膜处理设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610214730.4 | 2026-02-13 | CN122013152A | 2026-05-12 | 衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超 |
| 32 | 半导体薄膜处理设备和半导体薄膜沉积方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610214783.6 | 2026-02-13 | CN122013153A | 2026-05-12 | 智顺华、衡德正、徐康、阮昊、王国超 |
| 33 | 半导体薄膜处理设备和半导体薄膜处理方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610214804.4 | 2026-02-13 | CN122128689A | 2026-06-02 | 智顺华、衡德正、王国超、徐康、阮昊 |
| 34 | 用于半导体薄膜处理设备的配气组件、半导体薄膜处理设备及其处理方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610214736.1 | 2026-02-13 | CN122147285A | 2026-06-05 | 衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超 |
| 35 | 一种载片舟流转设备、基片处理系统和载片舟流转方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610163864.8 | 2026-02-04 | CN121985771A | 2026-05-05 | 严大、汤宋波 |
| 36 | 一种喷淋装置及沉积镀膜设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610131881.3 | 2026-01-29 | CN121915386A | 2026-04-24 | 施述鹏、廖宝臣 |
| 37 | 载具、镀膜设备及其控制方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610076563.1 | 2026-01-20 | CN121610764A | 2026-03-06 | 李挺、余乐怡 |
| 38 | 喷淋机构及薄膜沉积设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202512059928.8 | 2025-12-31 | CN121593033A | 2026-03-03 | 李宏岩、张鹤、赵昂璧 |
| 39 | 喷淋机构及其检测系统 | 发明专利 | 公布 | CN202512059363.3 | 2025-12-31 | CN121629365A | 2026-03-10 | 贾松霖、张鹤、李宏岩、左敏 |
| 40 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511999077.9 | 2025-12-26 | CN121793662A | 2026-04-03 | 李翔、王娟、江诗聪、袁红霞、姚俊、李鹏、杨蕾 |
| 41 | 防污染角阀、角阀改造方法及沉积设备 | 发明专利 | 授权 | CN202511983364.0 | 2025-12-25 | CN121737683B | 2026-08-18 | 毛文瑞、荒见淳一、赵婷婷 |
| 42 | 一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备 | 发明专利 | 公布 | CN202511942447.5 | 2025-12-22 | CN121826658A | 2026-04-10 | 衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超 |
| 43 | 加热盘机构及薄膜沉积设备 | 发明专利 | 公布 | CN202511948067.2 | 2025-12-22 | CN121826668A | 2026-04-10 | 许允昕、周芸福、王宗林 |
| 44 | 一种抽气组件和半导体薄膜沉积设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511935884.4 | 2025-12-19 | CN121781271A | 2026-04-03 | 常晓娜、王天宇、安超、叶长松、张晶、刘松涛、王国超 |
| 45 | 一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511935874.0 | 2025-12-19 | CN121781109A | 2026-04-03 | 叶长松、常晓娜、张晶、刘松涛、王天宇、安超 |
| 46 | 半导体加热盘的装配方法和半导体工艺腔室 | 发明专利 | 公布 | CN202511923577.4 | 2025-12-18 | CN121653612A | 2026-03-13 | 周瑞、周芸福 |
| 47 | 反应装置、半导体薄膜沉积方法和半导体薄膜沉积设备 | 发明专利 | 公布 | CN202511922972.0 | 2025-12-18 | CN121653610A | 2026-03-13 | 安超、王天宇、王炫罡 |
| 48 | 反应腔室及薄膜沉积设备 | 发明专利 | 公布 | CN202511923368.X | 2025-12-18 | CN121674937A | 2026-03-17 | 周芸福、黎微明、周瑞、王国超、王晴 |
| 49 | 支撑机构、反应装置和半导体薄膜沉积设备 | 发明专利 | 公布 | CN202511923203.2 | 2025-12-18 | CN121843456A | 2026-04-10 | 李森、常晓娜、叶长松、张晶、刘松涛 |
| 50 | 一种顶针结构、升降机构及薄膜沉积设备 | 发明专利 | 公布 | CN202511923315.8 | 2025-12-18 | CN121843483A | 2026-04-10 | 王新征、侯永刚 |
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