7月4日消息,国家知识产权局信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“清洁型晶圆烤箱”的专利,授权公告号CN115332119B,授权公告日为2026年7月3日。申请公布号为CN115332119A,申请号为CN202210988819.8,申请公布日期为2026年7月3日,申请日期为2022年8月17日,发明人杨轩毅、任瑞、高国春,专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师张亚静,分类号H10P72/00、B08B5/04。
专利摘要显示,本发明提供了一种清洁型晶圆烤箱,包括:箱体和进气部;所述箱体内具有烘烤腔,所述箱体上设置有与所述烘烤腔连通的排气口;所述进气部与烘烤腔连通可用于为所述烘烤腔的内部通入惰性气体,所述进气部被配置为:使得通入至所述烘烤腔的内部的所述惰性气体由所述烘烤腔的顶部向底部流动,并使得烘烤腔内的部分气体经所述排气口排出。本发明的晶圆烤箱通过下压式进风或者下压式补风的方式,在烘烤腔内形成下压风道及扰流,方便固体颗粒物的沉积,一方面方便固体颗粒物的清理,另一方面也使得晶圆烤箱自带清洁功能,可极大的降低固体颗粒物黏附在晶圆表面的概率。
芯联集成于2018年3月9日成立,于2023年5月10日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均为浙江省绍兴市。该公司是国内在MEMS和功率器件领域提供一站式系统代工解决方案的领先企业,具备较强技术实力。
芯联集成主要从事MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务,为客户提供一站式系统代工解决方案。所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,涉及碳化硅、MCU概念、汽车芯片等概念板块。
2025年,芯联集成实现营业收入81.8亿元,在行业7家公司中排名第5,远低于第一名中芯国际的673.23亿元和第二名华虹宏力的172.91亿元,也低于行业平均数166.12亿元和中位数108.85亿元。
其主营业务构成如下:
| 业务 | 金额(亿元) | 占比 |
|---|---|---|
| 集成电路晶圆制造代工 | 59.83 | 73.15% |
| 模组封装 | 15.08 | 18.43% |
| 研发服务及其他 | 3.98 | 4.87% |
| 其他(补充) | 2.9 | 3.55% |
净利润方面,2025年芯联集成亏损19.33亿元,在行业7家公司中排名第7,与第一名中芯国际的72.09亿元和第二名赛微电子的13.88亿元差距明显,低于行业平均数9.67亿元和中位数4.66亿元。
芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610613072.6 | 2026-05-07 | CN122161437A | 2026-06-05 | 于贝贝、张俊龙、王琛 |
| 2 | 半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610603325.1 | 2026-05-06 | CN122138453A | 2026-06-02 | 黄艳、赵晓燕 |
| 3 | 晶圆版图结构及晶圆结构的制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610504645.1 | 2026-04-16 | CN122341221A | 2026-07-03 | 李悦、眭小超 |
| 4 | 半导体器件的制备方法及半导体器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610420503.7 | 2026-04-01 | CN122340816A | 2026-07-03 | 王强、孙金山、顾学强、宋苗苗 |
| 5 | 半导体器件的制备方法、半导体器件及芯片 | 发明专利 | 公布 | CN202610404592.6 | 2026-03-30 | CN122318834A | 2026-06-30 | 徐鹏、张偲、王天然、张俊龙 |
| 6 | 半导体器件的制备方法及半导体器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610400260.0 | 2026-03-30 | CN122340887A | 2026-07-03 | 田淑芳、赵晓燕、黄艳 |
| 7 | 深沟槽电容器的制备方法及深沟槽电容器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610370329.X | 2026-03-25 | CN122180083A | 2026-06-09 | 林笛、赵晓燕、张子文 |
| 8 | 电容麦克风、半导体结构及其测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610365274.3 | 2026-03-24 | CN122054060A | 2026-05-15 | 傅思宇、姚阳文 |
| 9 | 封装打线应力监测结构、芯片封装结构及封装打线应力的监测方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610350219.7 | 2026-03-20 | CN122318819A | 2026-06-30 | 张坦、李婧、吴桥伟 |
| 10 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610340887.1 | 2026-03-19 | CN122227653A | 2026-06-16 | 赵冰、赵晓燕、黄艳 |
| 11 | LDMOS器件及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610340345.4 | 2026-03-19 | CN122227629A | 2026-06-16 | 李宏伟 |
| 12 | 霍尔器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610321598.7 | 2026-03-17 | CN121888864A | 2026-04-17 | 黄艳、赵晓燕 |
| 13 | 套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610325340.4 | 2026-03-17 | CN121978872A | 2026-05-05 | 李忠仁、赵晓燕、何福秀 |
| 14 | 半导体器件及其制作方法、芯片、电子设备 | 发明专利 | 公布 | CN202610319423.2 | 2026-03-16 | CN122318295A | 2026-06-30 | 黄艳、赵晓燕 |
| 15 | MEMS结构及其制备方法和测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610263262.X | 2026-03-05 | CN122102048A | 2026-05-29 | 王红海 |
| 16 | 半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610264470.1 | 2026-03-05 | CN122301116A | 2026-06-30 | 王曦 |
| 17 | 一种霍尔元件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610252635.3 | 2026-03-03 | CN122121538A | 2026-05-29 | 李宏伟 |
| 18 | DUP器件的焊盘结构及其打线方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610252633.4 | 2026-03-03 | CN122121712A | 2026-05-29 | 李宏伟 |
| 19 | MEMS微镜及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610242335.7 | 2026-02-28 | CN122218940A | 2026-06-16 | 毕丽丽、罗传鹏 |
| 20 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610235585.8 | 2026-02-27 | CN122121255A | 2026-05-29 | 黄艳、赵晓燕、石磊 |
| 21 | 垂直腔面发射激光器的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610206631.1 | 2026-02-12 | CN122068361A | 2026-05-19 | 靳闪闪、何琼 |
| 22 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610201260.8 | 2026-02-11 | CN122054671A | 2026-05-15 | 黄艳、赵晓燕 |
| 23 | 滤波器及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610191106.7 | 2026-02-10 | CN122119555A | 2026-05-29 | 穆苑龙、王鹏、姚阳文、徐泽洋 |
| 24 | MEMS器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610173899.X | 2026-02-06 | CN121974292A | 2026-05-05 | 胡永宝、姚阳文、徐泽洋 |
| 25 | MEMS器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610161355.1 | 2026-02-04 | CN122054059A | 2026-05-15 | 王鹏 |
| 26 | 高压电容隔离器及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610156455.5 | 2026-02-04 | CN121645907B | 2026-05-26 | 徐涛、王旭、刘晓雪 |
| 27 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610144599.9 | 2026-02-02 | CN122054611A | 2026-05-15 | 张子文、赵晓燕、林笛 |
| 28 | 深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610075516.5 | 2026-01-20 | CN121888936A | 2026-04-17 | 张涛、王旭 |
| 29 | 用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610075821.4 | 2026-01-20 | CN122028704A | 2026-05-12 | 李忠仁、赵晓燕、何启庆 |
| 30 | 负性光刻胶去边方法 | 发明专利 | 公布 | CN202512047655.5 | 2025-12-31 | CN121657384A | 2026-03-13 | 张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩 |
| 31 | 封装件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202512031182.X | 2025-12-30 | CN121772812A | 2026-03-31 | 徐达武、龚俊能 |
| 32 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511994715.8 | 2025-12-26 | CN121728807A | 2026-03-24 | 叶强飞、黎哲、何云、罗顶 |
| 33 | 电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511994584.3 | 2025-12-26 | CN121772735A | 2026-03-31 | 黄艳、赵晓燕、钟鹏 |
| 34 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511980858.3 | 2025-12-25 | CN121712052A | 2026-03-20 | 叶强飞、黎哲、何云、罗顶 |
| 35 | 输出芯片及光控继电器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511953919.7 | 2025-12-23 | CN121814072A | 2026-04-07 | 李宝杰、任文珍、丛茂杰 |
| 36 | 一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511882683.2 | 2025-12-15 | CN121310023B | 2026-04-14 | 傅思宇、陆晓龙、徐泽洋、姚阳文 |
| 37 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511868002.7 | 2025-12-11 | CN121645906A | 2026-03-10 | 秦永山、王旭 |
| 38 | 晶圆异常原因分析方法、电子设备和可读存储介质 | 发明专利 | 公布 | CN202511867408.3 | 2025-12-11 | CN121682332A | 2026-03-17 | 王颖、康栋、李鹏、孙海丽 |
| 39 | 一种MEMS加速度计及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511852166.0 | 2025-12-10 | CN121276091A | 2026-01-06 | 马玉莎、张兆林、王红海 |
| 40 | 屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511837217.2 | 2025-12-08 | CN121645929A | 2026-03-10 | 刘书晓、周圣杰 |
| 41 | 高压半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511834633.7 | 2025-12-08 | CN121310568B | 2026-03-24 | 谢仕源、吴荣成、白鑫、耿爽 |
| 42 | 麦克风及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511824007.X | 2025-12-05 | CN121262521B | 2026-03-31 | 唐丽文 |
| 43 | 产品检测方法、装置、存储介质和电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202511823575.8 | 2025-12-05 | CN121276286B | 2026-05-01 | 孙海丽、康栋、王颖、李鹏 |
| 44 | RC-IGBT及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511808670.0 | 2025-12-03 | CN121310558A | 2026-01-09 | 唐伟闻、余龙 |
| 45 | 纳米探针的修复方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511810106.2 | 2025-12-03 | CN121522223A | 2026-02-13 | 李帅 |
| 46 | 用于CESL特性测试的测试版图及测试结构 | 发明专利 | 公布 | CN202511764655.0 | 2025-11-27 | CN121568558A | 2026-02-24 | 吴桥伟 |
| 47 | 基片背面缺陷标记方法及标记设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511753460.6 | 2025-11-26 | CN121616539A | 2026-03-06 | 张良敏、许大建 |
| 48 | 虚拟量测方法、电子设备和可读存储介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511742208.5 | 2025-11-25 | CN121598081A | 2026-03-03 | 康栋、孙海丽、王颖、李鹏 |
| 49 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511682862.1 | 2025-11-17 | CN121548044A | 2026-02-17 | 孔孟书、孙金山、顾学强、陈为立、徐剑 |
| 50 | 提高键合晶圆机械强度的方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511671695.0 | 2025-11-14 | CN121493865A | 2026-02-10 | 陆晓龙、王红海、姚阳文 |
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