微导纳米取得薄膜沉积设备相关专利,薄膜沉积设备过滤铪颗粒提升沉积品质
创始人
2026-06-13 10:06:40
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6月13日消息,国家知识产权局信息显示,江苏微导纳米科技股份有限公司申请一项名为“一种薄膜沉积设备及沉积方法”的专利,授权公告号CN118910582B,授权公告日为2026年6月12日。申请公布号为CN118910582A,申请号为CN202410977147.X,申请公布日期为2026年6月12日,申请日期为2024年7月19日,发明人杜晓禹、王新征、许所昌、苏晓华、龚炳建,专利代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师石惠,分类号C23C16/455、C23C16/44、C23C16/40。

专利摘要显示,本发明公开了一种薄膜沉积设备及沉积方法,涉及半导体技术领域。该薄膜沉积设备包括ALD主体、铪源过滤器及铪源管路,铪源过滤器的两端与ALD主体及铪源管路分别连接;ALD主体具有沉积腔室,铪源管路通过铪源过滤器与沉积腔室连通,铪源管路用于将四氯化铪气体通入沉积腔室,铪源过滤器用于过滤四氯化铪气体中的四氯化铪颗粒。本发明提供的薄膜沉积设备能够显著提升二氧化铪薄膜的沉积品质。

微导纳米成立于2015年12月25日,于2022年12月23日在上海证券交易所上市,注册及办公地址均为江苏省无锡市。该公司是国内领先的高端薄膜沉积设备制造商,核心产品为ALD设备,技术实力强,产品广泛应用于多个领域。

微导纳米以ALD技术为核心,专注于先进微、纳米级薄膜沉积技术和设备的研究与产业化应用,为光伏、集成电路等半导体与泛半导体行业提供高端装备与技术解决方案,所属申万行业为电力设备-光伏设备-光伏加工设备,涉及半导体设备、专精特新、OLED等概念板块。

2025年,微导纳米实现营业收入26.33亿元,在行业12家公司中排名第9,远低于行业第一名捷佳伟创的154.72亿元和第二名晶盛机电的113.57亿元,也低于行业平均数56.11亿元和中位数45.56亿元。其主营业务中,光伏设备收入15.91亿元,占比60.43%;半导体设备收入8.81亿元,占比33.45%。当期净利润2.19亿元,行业排名第7,同样远低于第一名捷佳伟创的26.18亿元和第二名晶盛机电的8.59亿元,低于行业平均数5.17亿元和中位数2.96亿元。

江苏微导纳米科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种成膜设备、成膜设备的进气装置及成膜设备的喷淋板发明专利实质审查的生效、公布CN202610492020.82026-04-15CN122013155A2026-05-12杨世蒙、宋广华、尤宇文
2功能层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610426169.62026-04-02CN121968868A2026-05-01隋玉洁、王娟、姚俊、闻佳、袁红霞、李翔
3一种激光加工系统以及激光指向性偏移的补偿方法发明专利公布CN202610377175.72026-03-25CN122125355A2026-06-02朱涵
4进气装置和反应设备发明专利公布CN202610312792.92026-03-12CN122105370A2026-05-29柴智、赵学
5一种基片上下料机构、基片上下料方法、装置和介质发明专利公布CN202610255303.02026-03-03CN122121607A2026-05-29严大、汤宋波
6一种硅片取放机构及导片系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610214766.22026-02-13CN122028688A2026-05-12杨世蒙、李海生、宋广华
7用于半导体薄膜处理设备的配气组件和半导体薄膜处理设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610214730.42026-02-13CN122013152A2026-05-12衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超
8半导体薄膜处理设备和半导体薄膜沉积方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610214783.62026-02-13CN122013153A2026-05-12智顺华、衡德正、徐康、阮昊、王国超
9半导体薄膜处理设备和半导体薄膜处理方法发明专利公布CN202610214804.42026-02-13CN122128689A2026-06-02智顺华、衡德正、王国超、徐康、阮昊
10用于半导体薄膜处理设备的配气组件、半导体薄膜处理设备及其处理方法发明专利公布CN202610214736.12026-02-13CN122147285A2026-06-05衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超
11一种载片舟流转设备、基片处理系统和载片舟流转方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610163864.82026-02-04CN121985771A2026-05-05严大、汤宋波
12一种喷淋装置及沉积镀膜设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610131881.32026-01-29CN121915386A2026-04-24施述鹏、廖宝臣
13载具、镀膜设备及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610076563.12026-01-20CN121610764A2026-03-06李挺、余乐怡
14喷淋机构及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202512059928.82025-12-31CN121593033A2026-03-03李宏岩、张鹤、赵昂璧
15喷淋机构及其检测系统发明专利公布CN202512059363.32025-12-31CN121629365A2026-03-10贾松霖、张鹤、李宏岩、左敏
16半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511999077.92025-12-26CN121793662A2026-04-03李翔、王娟、江诗聪、袁红霞、姚俊、李鹏、杨蕾
17防污染角阀、角阀改造方法及沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511983364.02025-12-25CN121737683A2026-03-27毛文瑞、荒见淳一、赵婷婷
18一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511942447.52025-12-22CN121826658A2026-04-10衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超
19加热盘机构及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511948067.22025-12-22CN121826668A2026-04-10许允昕、周芸福、王宗林
20一种抽气组件和半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511935884.42025-12-19CN121781271A2026-04-03常晓娜、王天宇、安超、叶长松、张晶、刘松涛、王国超
21一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511935874.02025-12-19CN121781109A2026-04-03叶长松、常晓娜、张晶、刘松涛、王天宇、安超
22半导体加热盘的装配方法和半导体工艺腔室发明专利公布CN202511923577.42025-12-18CN121653612A2026-03-13周瑞、周芸福
23反应装置、半导体薄膜沉积方法和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511922972.02025-12-18CN121653610A2026-03-13安超、王天宇、王炫罡
24反应腔室及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923368.X2025-12-18CN121674937A2026-03-17周芸福、黎微明、周瑞、王国超、王晴
25支撑机构、反应装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923203.22025-12-18CN121843456A2026-04-10李森、常晓娜、叶长松、张晶、刘松涛
26一种顶针结构、升降机构及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923315.82025-12-18CN121843483A2026-04-10王新征、侯永刚
27承载支架和晶圆处理装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511923339.32025-12-18CN121865892A2026-04-14周峰、柴智、石帅、张义明
28气路装置、气路控制方法、反应装置及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511923451.72025-12-18CN121854755A2026-04-14张棋凯、龚炳建
29薄膜晶体管及薄膜晶体管沟道层的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511912959.72025-12-17CN121865666A2026-04-14李向远、许所昌
30管路系统、管路控制方法及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902157.82025-12-16CN121826650A2026-04-10邹天顺、龚炳建
31反应装置、进气通道吹扫方法和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902518.92025-12-16CN121826655A2026-04-10邹天顺、龚炳建
32测试装置、测试方法及升降机构发明专利公布CN202511902280.X2025-12-16CN121829901A2026-04-10陈鹏、周芸福
33一种抽气构件和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902553.02025-12-16CN121826645A2026-04-10常晓娜、王天宇、安超、叶长松、张晶、刘松涛
34ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902512.12025-12-16CN121826654A2026-04-10许所昌、李向远
35ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902620.92025-12-16CN121826657A2026-04-10许所昌、李向远
36进气结构、反应装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902544.12025-12-16CN121826656A2026-04-10刘松涛、常晓娜、张晶、叶长松、李森
37支撑装置及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902345.02025-12-16CN121826663A2026-04-10周芸福、王国超、王卓、游巧
38管路系统及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902165.22025-12-16CN121820270A2026-04-10邹天顺、龚炳建
39一种工艺腔体的盖板传送装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511881677.52025-12-12CN121826653A2026-04-10衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超
40薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511869929.22025-12-11CN121295147A2026-01-09许允昕、周芸福
41加热系统、半导体设备和加热方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511862984.92025-12-10CN121430206A2026-01-30周瑞、周芸福、龚炳建
42检测设备及基片状态的检测方法发明专利公布CN202511850870.22025-12-09CN121646334A2026-03-10王新征、陈鹏
43金属粉末及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511841229.22025-12-08CN121755701A2026-03-31李翔、王娟、袁红霞、糜珂
44一种基片载具及基片处理设备发明专利公布CN202511823477.42025-12-04CN121646312A2026-03-10陶志豪、周芸福、许允昕
45一种基片载具发明专利实质审查的生效、公布CN202511810588.12025-12-03CN121620138A2026-03-06许允昕、王宗林、周芸福
46保护磁流体的主轴结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511630974.22025-11-07CN121111992A2025-12-12周芸福、许允昕
47一种c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511500786.82025-10-20CN121320911A2026-01-13李向远、许所昌
48用于臭氧气体输送系统的预处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511501179.32025-10-20CN121320912A2026-01-13高力、朱金成、张义明
49一种半导体加工设备及其进气单元发明专利实质审查的生效、公布CN202511416242.32025-09-29CN121161261A2025-12-19王天宇、安超、龚炳建、赵婷婷
50一种用于交叉流的半导体处理设备及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511415651.12025-09-29CN121320910A2026-01-13周芸福、黎微明、皮代波、王国超、赵婷婷、许所昌

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