韦尔股份取得MOS芯片封装相关专利，MOS芯片背靠背封装，减尺寸增电性性能
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2026-06-10 09:13:07
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6月10日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种MOS芯片并联封装结构”的专利，授权公告号CN224343676U，授权公告日为2026年6月9日。申请号为CN202520986841.8，申请公布日期为2026年6月9日，申请日期为2025年5月19日，发明人王健伊、门淑芳，专利代理机构深圳睿臻知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师张海燕，分类号H10D80/20、H10W20/43。
专利摘要显示，本申请提供了一种MOS芯片并联封装结构，包括第一MOS芯片和第二MOS芯片，通过将两个MOS芯片背靠背进行封装，通过将两个MOS芯片背靠背进行封装，减少产品的封装尺寸，增加产品的电性性能。
天眼查数据显示，上海韦尔半导体股份有限公司成立日期2007年5月15日，法定代表人高文宝，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本121442.6982万人民币，实缴资本126107.4075万人民币，注册地址为中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层。上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了46家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息59条，专利信息218条，拥有行政许可18个。
上海韦尔半导体股份有限公司近期专利情况如下：
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种新型分裂栅功率MOSFET器件的制备方法及器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610230022.X | 2026-02-26 | CN122054628A | 2026-05-15 | 党晓军、董建新、衷世雄 |
| 2 | 一种双向低容纵向结构SCR特性瞬态电压抑制器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610189569.X | 2026-02-10 | CN122028508A | 2026-05-12 | 李登辉、许成宗、刘岚莘 |
| 3 | 一种双向超低容纵向NPN特性瞬态电压抑制器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610161837.7 | 2026-02-04 | CN122094185A | 2026-05-26 | 李登辉、许成宗、刘岚莘、韩业星 |
| 4 | 一种纵向低容高压单向TVS器件的制造方法及器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610097861.9 | 2026-01-24 | CN122094184A | 2026-05-26 | 刘凯哲、顾起帆、蔡燕楠、许成宗 |
| 5 | 一种可调斜率的电源自动化测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202512037465.5 | 2025-12-31 | CN122043299A | 2026-05-15 | 张潇、刘飞扬 |
| 6 | 一种低电容瞬态抑制保护器件 | 发明专利 | 公布 | CN202511805721.4 | 2025-12-03 | CN121665687A | 2026-03-13 | 韩业星、许成宗 |
| 7 | 一种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511157153.1 | 2025-08-19 | CN121013371A | 2025-11-25 | 曹培明、董建新 |
| 8 | 一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图 | 发明专利 | 公布 | CN202511112814.9 | 2025-08-09 | CN120957433A | 2025-11-14 | 方镇东、诸舜杰、杨慧玲、薛华瑞 |
| 9 | 一种瞬态电压抑制保护器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510702590.0 | 2025-05-28 | CN120659394A | 2025-09-16 | 李登辉、许成宗、刘凯哲 |
| 10 | 一种芯片并联封装方法及并联封装结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510642104.0 | 2025-05-19 | CN120613271A | 2025-09-09 | 方镇东、门淑芳 |
| 11 | 一种MOS芯片并联封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202520986841.8 | 2025-05-19 | CN224343676U | 2026-06-09 | 王健伊、门淑芳 |
| 12 | 一种芯片封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202520843790.3 | 2025-04-28 | CN224343773U | 2026-06-09 | 诸舜杰、董建新 |
| 13 | 一种单向低容瞬态电压抑制保护器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202510540948.4 | 2025-04-27 | CN120152387A | 2025-06-13 | 李登辉、许成宗、刘凯哲 |
| 14 | 一种功率MOSFET版图及MOSFET | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510420186.4 | 2025-04-03 | CN120264855A | 2025-07-04 | 薛华瑞、董建新 |
| 15 | 一种功率MOSFET版图及MOSFET | 实用新型 | 授权 | CN202520632927.0 | 2025-04-03 | CN224007006U | 2026-03-17 | 薛华瑞、董建新 |
| 16 | 一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202510271360.3 | 2025-03-08 | CN120091616A | 2025-06-03 | 薛华瑞、阮孟波 |
| 17 | 一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET | 实用新型 | 授权 | CN202520406177.5 | 2025-03-08 | CN224007000U | 2026-03-17 | 薛华瑞、阮孟波 |
| 18 | 一种IGBT制备方法及IGBT器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202510261571.9 | 2025-03-06 | CN120111910A | 2025-06-06 | 张峰、董建新 |
| 19 | 一种浮空注入型功率MOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202520332356.9 | 2025-02-27 | CN224006999U | 2026-03-17 | 党晓军、董建新、衷世雄 |
| 20 | 一种安全工作区MOSFET器件的制备方法及器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510205431.X | 2025-02-24 | CN120129297A | 2025-06-10 | 薛华瑞、董建新 |
| 21 | 一种屏蔽栅沟槽MOSFET版图及器件 | 实用新型 | 授权 | CN202520197353.9 | 2025-02-08 | CN224006998U | 2026-03-17 | 薛华瑞、董建新 |
| 22 | 一种MOSFET版图及MOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202520197895.6 | 2025-02-08 | CN224083958U | 2026-04-03 | 党晓军、董建新、衷世雄 |
| 23 | 电流感测放大器 | 发明专利 | 公布 | CN202510123203.8 | 2025-01-26 | CN121814040A | 2026-04-07 | 木村宏之 |
| 24 | 电流感测放大器 | 发明专利 | 公布 | CN202510123387.8 | 2025-01-26 | CN121814041A | 2026-04-07 | 木村宏之 |
| 25 | 一种MOSFET版图及MOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202520153818.0 | 2025-01-22 | CN224006997U | 2026-03-17 | 曹培明、衷世雄、董建新 |
| 26 | 一种共漏极双MOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202423222814.8 | 2024-12-25 | CN223772423U | 2026-01-06 | 诸舜杰、董建新 |
| 27 | 共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件 | 发明专利 | 授权 | CN202411921564.9 | 2024-12-25 | CN119815857B | 2026-01-06 | 诸舜杰、董建新 |
| 28 | 一种半导体封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202422815330.8 | 2024-11-18 | CN223513965U | 2025-11-04 | 吴旸、俞江彬、周万建、姚力 |
| 29 | 一种芯片封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202422467982.7 | 2024-10-11 | CN223308991U | 2025-09-05 | 陈泽洋、俞江彬、周万建 |
| 30 | 一种IGBT制备方法及IGBT器件 | 发明专利 | 公布 | CN202411155855.1 | 2024-08-22 | CN118841323A | 2024-10-25 | 张峰、诸舜杰 |
| 31 | 输出电路 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411126829.6 | 2024-08-16 | CN121012487A | 2025-11-25 | 石田学 |
| 32 | 电压调节器 | 发明专利 | 公布 | CN202411126827.7 | 2024-08-16 | CN121028940A | 2025-11-28 | 石田学 |
| 33 | 半导体集成电路 | 发明专利 | 公布 | CN202411126626.7 | 2024-08-16 | CN121055790A | 2025-12-02 | 相浦正巳 |
| 34 | 一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图 | 实用新型 | 授权 | CN202421990059.5 | 2024-08-15 | CN223108363U | 2025-07-15 | 薛华瑞、董建新 |
| 35 | 负载驱动电路 | 发明专利 | 公布 | CN202411091349.0 | 2024-08-09 | CN121012328A | 2025-11-25 | 木村宏之 |
| 36 | 桥接电路 | 发明专利 | 公布 | CN202411091133.4 | 2024-08-09 | CN121012492A | 2025-11-25 | 相浦正巳 |
| 37 | 一种带保险丝芯片封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202421896262.6 | 2024-08-06 | CN223092890U | 2025-07-11 | 李登辉、陈泽洋、黄智、赵金龙 |
| 38 | 一种高保持电流瞬态电压抑制器件 | 实用新型 | 授权 | CN202421650230.8 | 2024-07-11 | CN223110415U | 2025-07-15 | 李登辉、许成宗 |
| 39 | 一种SiC MOSFET器件的制备方法及SiC MOSFET器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410803538.X | 2024-06-20 | CN121218661A | 2025-12-26 | 付霄荧、衷世雄、钟添宾 |
| 40 | 一种MOSFET版图及MOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202421403433.7 | 2024-06-18 | CN222776520U | 2025-04-18 | 党晓军、董建新、衷世雄、陈嘉聪 |
| 41 | 一种功率MOSFET制备方法及功率MOSFET | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410787966.8 | 2024-06-18 | CN121174540A | 2025-12-19 | 党晓军、董建新、衷世雄 |
| 42 | 一种阶梯开启屏蔽栅MOSFET的制备方法及阶梯开启屏蔽栅MOSFET | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410717885.0 | 2024-06-04 | CN118610258A | 2024-09-06 | 党晓军、董建新、衷世雄 |
| 43 | 一种功率器件的制备方法及功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410710543.6 | 2024-06-03 | CN118486596A | 2024-08-13 | 党晓军、董建新、衷世雄 |
| 44 | 一种宽安全工作区分裂栅器件的制备方法及宽安全工作区分裂栅器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410691737.6 | 2024-05-30 | CN118658784A | 2024-09-17 | 党晓军、包武 |
| 45 | 一种双向低容NPN特性瞬态电压抑制器件及封装结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410691736.1 | 2024-05-30 | CN118658892A | 2024-09-17 | 李登辉、许成宗、顾起帆、蔡燕楠 |
| 46 | 一种屏蔽栅功率器件的制备方法及屏蔽栅功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410674167.X | 2024-05-28 | CN118538610A | 2024-08-23 | 党晓军、董建新、衷世雄 |
| 47 | 一种MOS芯片封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202421196596.2 | 2024-05-28 | CN222581167U | 2025-03-07 | 陈泽洋、俞江彬、周万建 |
| 48 | 一种双向低容低钳位电压抑制保护器件 | 实用新型 | 授权 | CN202420456580.4 | 2024-03-08 | CN222532103U | 2025-02-25 | 李登辉、许成宗、刘凯哲 |
| 49 | 张弛振荡器 | 发明专利 | 公布 | CN202410207729.X | 2024-02-26 | CN120357869A | 2025-07-22 | 木村宏之 |
| 50 | 电流感测放大器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410207728.5 | 2024-02-26 | CN120357854A | 2025-07-22 | 木村宏之 |
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