1月24日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法”的专利。申请公布号为CN121374420A，申请号为CN202511617289.6，申请公布日期为2026年1月23日，申请日期为2025年11月6日，发明人姚胜平，专利代理机构杭州融方专利代理事务所（普通合伙），专利代理师沈相权，分类号B24B53/017、B24B37/005。

专利摘要显示，本发明涉及一种改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法，所属半导体制造技术领域，包括如下操作步骤：第一步：抛光布在修整前进行测布厚。第二步：判断上盘和下盘的抛光布厚度均匀性状态。第三步：对确定的目标抛光布进行针对性修整。第四步：在修整后的抛光设备上加工一枚硅片，并测量抛光硅片的厚度形貌图。第五步，根据抛光硅片的厚度形貌图，调整双面抛光的工艺参数，确认修整效果。第六步，使用调整后的工艺参数进行正式的半导体硅片产品加工。具有操作便捷、主动诊断、精准修整和闭环验证的特点。通过精确测量和修整抛光布的厚度均匀性，从物理根源上纠正了导致硅片厚度倾斜的关键因素，从而显著提升了双面抛光的加工精度和稳定性。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本503225.6776万人民币，实缴资本503225.6776万人民币，注册地址为浙江省东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息396条，拥有行政许可22个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

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